第七章薄膜的物理性质2薄膜的电学性质20141118.ppt

3.半导体薄膜的电学性质 小 结 （1）半导体的电导率和光电导 迁移率：反映半导体中载流子导电能力，它表示单位场强下电子的平均漂移速度。半导体的电导率和迁移率之间的关系： 光电导：由光照引起半导体电导率增加的现象，即光照使半导体中形成非 平衡附加载流子，而且载流子浓度的增大必然使样品电导率增大。 3.半导体薄膜的电学性质 光生电压：当用适当波长的光照射非均匀半导体（如PN结）时，半导体内部会产生电动势。如将PN结短路，则在外电路中会出现电流，称为光生电流。这种效应称为光生伏特效应。-------光电池的理论基础。 光电池工作的三种电流：光生电流 ，在光生电压V作用下的PN结正向电流 ，流经外电路的电流 ， 和 都流经PN结内部，但方向相反。 小 结 在PN结开路情况（ ），开路电压 。这时流经R的电流I=0，即 。可得开路电压 如果将PN结短路（V=0），则 ，这时可得短路电流 。短路电流应等于光生电流，即 。 4. 薄膜的超导电性 超导是指某些物质在一定温度条件下（一般为较低温度）电阻降为零的 性质。 温度TTc时，超导材料处于常导状态，磁通（a）图； 温度TTc时成为超导状态，磁通（b）图， 完全排斥在材料外。 这一现象称为“迈斯纳效应”。 小 结 T=0K时的穿透深度，一般为50-100 nm。 由于不能忽视薄膜状态的表面能的影响，所以超导薄膜的临界磁场Hcf与块状超导体的Hco不同。 磁通穿透深度 约为10-6 cm。因此，超导体在膜状态下可不表现出迈斯纳效应，当薄膜厚度d比 小时，磁通几乎均匀地通过薄膜。 薄膜 7.2 薄膜的电学性质—----小结 1.金属薄膜的电学性质 （1）连续薄膜 a）薄膜电阻率大于块金属电阻率。 b）薄膜电阻率与膜厚d有关系。 C）对于同样的薄膜，改善表面光滑度，即提高P(镜面反射系数)值，可使薄膜的电阻率减小（电导率变大）。 （2）不连续薄膜 （1）电阻率?F非常大； 电阻与温度的关系和连续薄膜完全不一样，具有半导体（或电解质）的温度特征，电阻率温度系数?F为负值； （2）在低外加电场时呈现欧姆性质导电，在高电场时呈现非欧姆性质导电；在高电场下有电子发射和光发射现象。 （3）导电电子激活能较大，随膜厚的减小激活能上升； 2.介质薄膜的电学性质 （1）介质薄膜的电导性质 在介质薄膜中，缺陷和杂质比较多，介质薄膜中的直流电导比块状介质材料大得多。 强场作用下，介质中的电导包括电子电导和离子电导； 弱场作用下，电导主要来源于杂质能级电子电导和离子电导（介质导带中几乎没有自由电子，杂质能级电导占主要）。 （2）介质薄膜的介电性质能 小 结 1）介质薄膜的极化 当垂直于介质薄膜加一电场，其表面就有感生束缚电荷出现，称为介质薄膜的极化。在介质材料中参与极化的载流子主要有电子、离子、偶极子等。 2）介质薄膜的介电常数 根据极化性质不同，按照介质薄膜的介电常数的大小可将介质薄膜分为两种类型：非极性介质薄膜（介电常数2~45）和极性介质薄膜（3~100或者更高）。 介质薄膜的介电常数：本征介电常数和非本征介电常数。 本征介电常数：来源于薄膜本身的电子状态，固有偶极矩及晶格结构等。 非本征介电常数：来源于薄膜的不均匀性、杂质、空位等等。 本征介电常数决定于薄膜内部的各种极化机构。 3) 介质薄膜的交流损耗 介质薄膜在交变电场作用下，由于电导和极化，必然产生能量损耗。损耗值的大小与介质薄膜本身的晶体结构和各种缺陷有关。介质薄膜的损耗是表征介质薄膜质量和性能的重要参数。用损耗角的正切值表示。 小 结 3.介质薄膜的压电性质 4.介质薄膜的热释电性质 小 结 一些介质薄膜具有压电效应，如CdS、ZnS、AlN、ZnO、LiNbO3、PZT等薄膜。主要用于制造声表面波器件。 压电效应 正压电效应：应力作用使晶体表面产生电荷现象 逆压电效应：当晶体受到电场作用，在他的某个方向上发生应变，而且应变与电场强度呈线性关系 热释电效应：具有自发极化的晶体因温度变化而引起自发极化强度发生变化 而在晶体两段表面产生异号束缚电荷的现象。 晶体材料的这种性能称为热释电