射频溅射Si膜的微结构与光学性质研究.pdfVIP

2009年 5月 安徽大学学报 (自然科学版) May2009 第33卷 第3期 JournalofAnhniUniversityNaturalScienceEdition Vo1．33No．3 射频溅射 Si膜的微结构与光学性质研究 宋学萍，王佩红，孙兆奇 (安徽大学 物理与材料科学学院，安徽 合肥 230039) 摘 要：采用射频磁控溅射法，在300oC衬底温度下制备了不 同厚度的si薄膜，用 x射线衍射仪、 紫外 一可见分光光度计和原子力显微镜 (AFM)分别对薄膜的微结构、光学性质及表面形貌进行了测试 分析．结果表明：不同时间下制备的 膜均呈多晶状态；在 中红外波段 内出现了很强的 Si—si吸收峰； 在紫外可见光范围，随着膜厚的增加 ，si膜 的透过率减弱 ；AFM测出 si膜 的颗粒平均直径在 5．65～ 8．41am之间． 关键词 ：射频磁控溅射；微结构；光学性质；原子力显微镜 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000—2162(2009)03—0065—04 硅是最重要、应用最广泛的半导体材料，它是制作晶体管、集成电路、电力电子器件和光电子器件的 重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展．90％以上的大规模集 成电路 (LSI)、超大规模集成电路(VLSI)，都是制作在高纯优质的硅抛光片和外延片上…． 硅薄膜中的微晶粒具有量子点特征、光电性能好、光吸收能力强、室温电导率高、压阻系数大等特 点；掺杂后其电导率显著提高，其压力灵敏系统也有所提高[2]． 多晶硅薄膜是综合了晶体硅材料和非晶硅合金薄膜的优点，在能源科学、信息科学的微电子技术中 有着广泛应用的一种新型功能薄膜材料 J．由于硅膜质硬，近红外折射率高，也是一种理想的红外光学 薄膜材料 ． 近年来，随着各种薄膜半导体材料在制备大面积器件方面取得的巨大进展，一个新的领域，即大面 积微电子学也应运而生．由于多晶硅薄膜特殊的物理性质以及 同时具有的单晶硅材料高迁移率及非晶 硅材料可大面积、低成本制备的优点，因此在大面积微电子学器件及大面积低成本薄膜太阳能电池等方 面有着越来越重要的应用价值 ． 该实验利用射频磁控溅射法，制备不同厚度的 si膜，并采用 x射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)以及紫外透射谱(UVT)等现代测试技术，对薄膜的微结构、表面形 貌及光学特性进行测试，该研究具有重要的意义． 1 实验部分 1．1 薄膜的制备 实验用JGP560I型超高真空磁控溅射仪制备不同厚度的si薄膜，膜厚由溅射时间控制．si靶的纯 度为99．99％．镀膜前，所有用于制备 si膜的基片经过超声波清洗处理，真空烘干后置于干燥缸内备用． 当真空室本底真空度达到 6．0×10I4Pa后，充人高纯 Ar(99．999％)作为溅射气体．溅射时工作气 压为0．7Pa，溅射功率为60w，溅射时间分别为20、30、40、50和60min．衬底温度为300oC． 1．2 薄膜的测试 用 MACM18XHF型 x射线衍射仪测试 Si膜的衍射谱 ，x光管为 cu靶 ，x射线波长 Cu，c为 收稿 日期 ：2008—10—07 基金项 目：国家 自然科学基金资助项 目；教育部博士点专项基金资助项 目(20060357003)；安徽省 自然科 学基金资助项 目；安徽省教育厅科研基金资助项 目(2004kj030)；安徽省人才专项基金资助项 目(2004Z029)： 安徽省信息材料与器件重点实验室(安徽大学)开放基金资助项 目 作者简介：宋学萍 (1955一)，女 ，安徽凤阳人，安徽大学高级实验师． 安徽大学学报 (自然科学版) 第33卷 0．154056nm，管压40kV，管流 100mA，掠射角3。，步进 表 1 Si膜透射谱测试条件 为0．020。，扫