子技术基础》教.ppt

黄河水利职业技术学院 曾令琴 1、MOS管的基本结构 N+ N+ 以P型硅为衬底 B D G S 二氧化硅(SiO2)绝缘保护层 两端扩散出两个高浓度的N区 N区与P型衬底之间形成两个PN结 由衬底引出电极B 由高浓度的N区引出的源极S 由另一高浓度N区引出的漏极D 由二氧化硅层表面直接引出栅极G 杂质浓度较低，电阻率较高。 N+ N+ 以P型硅为衬底 B D G S 大多数管子的衬底在出厂前已和源极连在一起 铝电极、金属 （Metal） 二氧化硅氧化物 （Oxide） 半导体 （Semiconductor) 故单极型三极管又称为MOS管。 MOS管电路的连接形式 N+ N+ P型硅衬底 B D G S + － UDS + － UGS 漏极与源极间 电源UDS 栅极与源极间 电源UGS 如果衬底在出厂前未连接到源极上，则要根据电路具体情况正确连接。一般P型硅衬底应接低电位，N型硅衬底应接高电位，由导电沟道的不同而异。 不同类型MOS管的电路图符号 D S G B衬底 N沟道增强型图符号 D S G B衬底 P沟道增强型图符号 D S G B衬底 N沟道耗尽型图符号 D S G B衬底 P沟道耗尽型图符号 由图可看出，衬底的箭头方向表明了场效应管是N沟道还是P沟道：箭头向里是N沟道，箭头向外是P沟道。 虚线表示 增强型 实线表示 耗尽型 2. 工作原理 以增强型NMOS管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道。 当栅源极间电压UGS=0 时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结。 N+ N+ P型硅衬底 B D G S 不存在 原始沟道 + － UDS UGS=0 此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。MOS管处于截止区。 P PN结 PN结 ID=0 正向导通区和反向截止区的讨论 U(V) 0.5 0 0.8 -50 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 死区 正向 导通区 反向 截止区 反向 击穿区 当外加正向电压大于死区电压时，二极管由不导通变为导通，电压再继续增加时，电流迅速增大，而二极管端电压却几乎不变，此时二极管端电压称为正向导通电压。 硅二极管的正向导通电压约为0.7V，锗二极管的正向导通电压约为0.3V。 在二极管两端加反向电压时，将有很小的、由少子漂移运动形成的反向饱和电流通过二极管。 反向电流有两个特点：一是它随温度的上升增长很快，二是 在反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本恒定，而 与反向电压的高低无关(与少子的数量有限)。所以通常称它为 反向饱和电流。 3. 二极管的主要参数 （1）最大整流电流IDM：指二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。其大小由PN结的结面积和外界散热条件决定。 （2）最高反向工作电压URM：指二极管长期安全运行时所 能承受的最大反向电压值。手册上一般取击穿电压的一半作 为最高反向工作电压值。 （3）反向电流IR：指二极管未击穿时的反向电流。IR值越小，二极管的单向导电性越好。反向电流随温度的变化而变化较大，这一点要特别加以注意。 （4）最大工作频率fM：此值由PN结的结电容大小决定。若二极管的工作频率超过该值，则二极管的单向导电性能将变得较差。 4. 二极管的应用举例 注意：分析实际电路时为简单化，通常把二极管进行理想 化处理，即正偏时视其为“短路”，截止时视其为“开路”。 UD=0 UD=∞ 正向导通时相当 一个闭合的开关 + － + － + － D + － D + － + － D P N + － 反向阻断时相当 一个打开的开关 + － D P N (1)二极管的开关作用 (2)二极管的整流作用 将交流电变成单方向脉动直流电的过程称为整流。利用 二极管的单向导电性能就可获得各种形式的整流电路。 二极管半波整流电路 二极管全波整流电路 桥式整流电路简化图 B 220V ~ RL D IN4001 B 220V ~ RL D1 D2 二极管桥式整流电路 D4 B 220V ~ RL D1 D2 D3 B 220V ~ RL (3)二极管的限幅作用 + － D uS 10KΩ IN4148 + － u0 iD 图示为一限幅电路。电源uS是一个周期性的矩形脉冲， 高电平幅值为+5V，低电平幅值为-5V。试分析电路的输出 电压为多少。 uS +5V -5V t 0 当输入电压ui=－5V时，二极管反偏截止，此时电路 可视为开路，输出电压u0=0V； 当输入电压ui= +5V时，二极管正偏导通，