精品课件-数字电路教材幻灯片.pptVIP

下图是二元寻址的M字×1位RAM结构图,它的存储矩阵是α×β位,地址译码器分行译码器和列译码器,只有行及列共同选中的单元才能进行读、写。这种寻址的方式所需要行线和列线的总数较少。例如要存储256字×1位的容量,采用一元寻址就需要256条字线,若采用二元寻址只需α=16,β=16,共32条线也就可以了。 二、存储单元 RAM中的存储单元可由双极型管组成,也可由MOS管组成。 MOS管可以工作于静态,也可以工作于动态,而双极型管单元大多工作于静态。 (一)MOS静态单元如下图所示: T0、T1、T2及T3构成 R-S触发器， T4及T5是行选管， 是一行中公用的 T6及T7是列选管， 是一列公用的 0 0 1 当使能为低电平,写也为低电平时, 三态门2将输入数据Di通过T6、T4作 用于T3栅极,同时将Di的互补值通 过T7及T5作用于T2的栅极,从而使 触发器按Di翻转,完成写入。 图7.3.3 六管NMOS静态存储单元 返回 图7.3.4 六管CMOS静态存储单元 返回 图7.3.5 双极型RAM 的静态存储单元 返回 (二)动态MOS存储单元如下图 这是一动态存储单元, 靠栅极电容C1及C2存储 电荷。 如要写入“1”,只需在数据 线D上作用“1”便可以给C2 充上足够的电荷,而C1则不 被充电,表示记入了“1” 当刷新端加高电压时，负载管 T3、T4导通，同时行线加高电 压使T6、T5也导通，构成R-S 触发器，触发器的状态由C1及 C2中的电压决定 栅极电容保留信息只有一 段时间，需定期地给它刷 新，以免信息丢失，所以 在每一行上设有刷新电路。 当X、Y线均为高电平时， T5、T6、T7及T8都导通， 此单元接至数据线， 图7.3.6 四管动态MOS存储单元 返回 图7.3.7 三管动态MOS存储单元 返回 图7.3.8 单管动态MOS存储单元 返回 图7.3.9 DRAM中的灵敏恢复/读出放大器 返回 图7.3.10 灵敏恢复/读出放大器的读出过程 (a)读出0的情况 (b)读出1的情况 返回 图7.3.11 DRAM的总体结构框图 返回 图7.4.1 RAM的位扩展接法 图7.4.2 RAM的字扩展接法 返回 7.4 存储器容量的扩展 图7.4.1 RAM的位扩展接法 返回 《数字电路》 湖北大学物理学与电子技术学院 第七章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器(ROM) 7.3 随机存储器(RAM) 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 7.6 串行存储器 存储器是用来存储二值数字信息的大规模集成电路,是进一步完善数字系统功能的重要部件。它实际上是将大量存储器按一定规律结合起来的整体,可以被比喻为一个由许多房间组成的大旅馆。每个房间有一个号码 (地址码 ),每个房间内有一定内容(一个二进制数码,又称为一个“字” )。 7.1 概述 一.半导体存储器的特点及分类 体积小,集成度高等 2.分类 按制造工艺 按存储原理 双极型 MOS型 ROM RAM 1.特点 存储容量=N字?M 位 (N个M位的二进制信息) 1K=1024字节 2.存储周期 连续两次读(写)操作间隔的最短时间。 二. 存储器的技术指标 1.存储容量 图7.2.1 ROM的电路结构框图 图7.2.2 二极管ROM的电路结构图 图7.2.3 用MOS管构成的存储矩阵 图7.2.4 熔丝型PROM的存储单元 图7.2.5 PROM的结构原理图 图7.2.6 FAMOS管的结构和符号 图7.2.7 使用FAMOS管的存储单元 图7.2.8 SIMOS管的结构和符号 图7.2.9 使用SIMOS管的256 ? 1位EPROM 图7.2.10 Flotox管的结构和符号 图7.2.11 E2 PROM的存储单元 图7.2.12 E2 PROM存储单元的三种工作状态(a)读出状态(b)擦除(写1)状态(c)写入(写0)状态 图7.2.13 快闪存储器中的叠栅MOS管 图7.2.14 快闪存储器的存储单元 返回 7.2 只读存储器(ROM) 只读存储器( ROM ) 只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的,因此,只能读出,不能随时写入,所以称为只读存储器。 Read Only Memory . . . 固定ROM 可编程ROM:PROM 可擦写可编程:EPROM,E2PROM,FLASH ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出及控制电路三部分组成。 一、固定只读存储器(ROM) 图7.2.