[工学]第五章 化学气相沉积.pptVIP

* * * * * * * * 利用有机金属化合物的热分解反应进行气相外延生长薄膜的CVD技术。 (1)MOCVD法原理 利用热来分解化合物，其原理与利用硅烷(SiH4) 热分解得到硅外延生长的技术相同。作为含有化合物半导体元素的原料化合物必须满足以下条件： ①在常温下较稳定且容易处理； ②反应的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长 层； ③为适应气相生长，在室温附近具有适当的蒸气 压(≥1Torr)。 * * (2)MOCVD法的特点 ①沉积温度低； ②沉积过程中不存在刻蚀反应，可通过稀释 气体来控制沉积速率等，可用来制备超晶 格材料和外延生长各种异质结构； ③适用范围广，几乎可以生长所有的化合物 和合金半导体； ④仅单一的生长温度范围是生长的必要条件； ⑤可在蓝宝石、尖晶石基片上实现外延生长。 * * (3)MOCVD的主要缺点 ①许多有机金属化合物蒸气有毒和易燃，给有机金属化合物的制备、贮存、运输和使用带来了困难，必须采取严格的防护措施； ②由于反应温度低，有些金属有机化合物在气相中就发生反应，生成固态微粒再沉积到衬底表面，形成薄膜中的杂质颗粒，破坏了膜的完整性。 * * The End * * 第五章 化学气相沉积 一、CVD的概念、优点及特点 二、CVD的基本原理 三、CVD方法简介 * * 一、CVD的概念、优点及特点 1、概念