2013-02-12-勘误电路分析与电子线路基础.doc

“电路分析与电子线路基础”勘误表 一、上册 1.pⅡ,常用符号说明，倒数第七、第八行， MOS场效应管 BJT晶体管， 最终定稿时都用T表示晶体管，不管是MOS还是BJT，故此两行改为 晶体管 2.p34，图1.4.11下面一行“i与端口电压v的关系就如图1.4.11 (b)所示1.4.11 (a)所示如果，沟道变窄，会減小。如果，沟道变窄，会減小。 (a) (b) 图2.2.12 电源变换 5.p238图3.5.5左边“根据单相等效电路很容易求出A相电流，负载上相电压相等”改为 “根据单相等效电路很容易求出A相电流与负载上相电压等参数”。 6.p267图3.7.12下面第3行“其等效电感为”改为 “其等效电感为2” 7.p306倒数第6行 改为 8.p310倒数第4行“以求与放大器分析的习惯符号相一致”，改为 “以便与放大器分析的习惯符号相一致”。 9.p359图4.4.5(c)中电源极性上正下负改为上负下正。 原图 改正后的图 10. p410，将图4.8.3中A、B、C、D标注位置改成下面的图(即原稿中的图)所示，这样文字和图就对应起来了。 (a) (b) 图4.8.3 CMOS反相器的电压、电流传输特性下面结合图4.10.8所示电路定性说明下面结合图4.10.所示电路定性说明 14.p235图6.2.1上面第5行“足以使通过它的电流不变”改为 “足以使通过它的电流基本不变” + – a b a b R is R vs v(t+(t) (c) (b) (a) Ieq=i(t) v(t+(t) – + – + i(t+(t) v(t+(t) (c) (b) (a) Ieq=i(t) v(t+(t) – + – + i(t+(t) i(t+(t) “以求与放大器分析的习惯符号相一致”L i(t+(t) v(t+(t) – + 图4.4.5后向欧拉近似下电感的等效电路模型 i(t+(t) “以求与放大器分析的习惯符号相一致”L i(t+(t) v(t+(t) – + 图4.4.5后向欧拉近似下电感的等效电路模型 VTN VTP VDD vi VDD VDD VDD VDD VTP VTN vi VDD vo iD 图5.9.18 有源低通滤波器不同Q值的幅频特性 f/Hz