III-V族化合物的外延生长.PDF

第7章III-V族化合物的外延生长 第7章III-V族化合物的外延生长 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 第7章III-V族化合物的外延生长 第7章III-V族化合物的外延生长 7-1、气相外延生长(VPE) 7-2、金属有机物气相外延生长MOVPE 7-3、液相外延生长(LPE) 7-4、分子束外延生长(MBE) 7-5、化学束外延生长(CBE) 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 7-1 气相外延生长(VPE) 气相外延生长(Vapor Phase Epitaxy—VPE) 主要有以下三种方法： 卤化物法(Ga/AsCl /H 体系) 3 2 氢化物法(Ga/HCl/AsH /H 体系) 3 2 金属有机物气相外延法 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 7-1-1 卤化物法外延生长GaAs 1. Ga/AsCl /H 体系气相外延原理及操作 3 2 1 2 3 4 H2 As +HCl GaCl+As +H GaAs 4 4 2 Ga H 2 AsCl 衬底 主要反应过程 3 850º ①AsCl3 氢还原 ②Ga源区：Ga饱和 750º ③Ga的输运 ④低温区(沉积区) 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 Ga/AsCl /H 体系气相外延原理: 3 2 1. 高纯H 经过AsCl 鼓泡器，把AsCl 蒸气携带入反应 2 3 3 室中，它们在300~500 ℃的低温就发生还原反应， 4AsCl + 6H = As + 1