半导体物理课件8-第八章2.ppt

半导体物理学 8.1 表面态 8.2 表面电场效应 8.3 MIS结构的C-V特性 8.4 硅-二氧化硅系统的性质 8.5 表面电导及迁移率 8.1 表面态 1、论文及新创意：总成绩的70% 论文：以半导体课程中学到了什么为主题，题目可自拟，可以由基础内容或某种应用为主，充分自由发挥。总成绩的60% 新创意：单独列出，字数不限，表达清楚创意点即可。 总成绩的10% 2、作业：总成绩的20% 3、课堂提问+考勤：总成绩的10% ，即10分，基础分为4，每旷课一次减3分，完整回答一次问题加2分，减分最多为10，加分没有上限 所有项目：请于17周周五之前补齐。 8.1 表面态 8.2 表面电场效应 8.3 MIS结构的C-V特性 8.4 硅-二氧化硅系统的性质 8.5 表面电导及迁移率 本节讨论的五个问题 1，与整流接触相对比谈一谈欧姆接触的特点、应用价值、及制作方法。 2，谈谈少子注入的影响。 3，复习：状态密度的定义及计算方法？ 4，复习：谈一谈费米分布和玻尔兹曼分布的特点？ 5，复习：谈一谈本征载流子浓度的计算过程？ 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3 本征半导体的载流子浓度 下一节讨论的五个问题 1，外电场下作用下半导体内部的微观物理过程。 2，均匀半导体中少数载流子注入引起的微观物理过程变化。 3，pn结中存在的微观物理过程？ 8.1 表面态 8.2 表面电场效应 8.3 MIS结构的C-V特性 8.4 硅-二氧化硅系统的性质 8.5 表面电导及迁移率 本节讨论的五个问题 1，外电场作用下半导体内部的微观物理过程。 2，均匀半导体中少数载流子注入引起的微观物理过程变化。 3，pn结中存在的微观物理过程？ 8.1 表面态 8.2 表面电场效应 8.3 MIS结构的C-V特性 8.4 硅-二氧化硅系统的性质 8.5 表面电导及迁移率 8.1 表面态 8.2 表面电场效应 8.3 MIS结构的C-V特性 8.4 硅-二氧化硅系统的性质 8.5 表面电导及迁移率 一道题： 描述理想情况下，MIS结构金属与半导体间施加某一偏压时，半导体表面层内的电势及电荷分布情况。 8.4 硅-二氧化硅的性质 快界面态： 特点：存在于Si-SiO2界面3-5埃内，分为受主界面态和施主界面态两种。 快界面态可快速的和半导体导带或价带交换电荷，位于禁带中，可以采用‘杂质电离模型’分析。外加电压负时，向上弯曲，反之向下弯曲。原因，可以是悬挂键，还可以是缺陷或杂质。高温下惰性气体中退火，可以有效消除。 陷阱电荷： 特点：于Si-SiO2界面往往存在一些载流子陷阱，通过辐照等条件，可以捕获载流子，改变产生和复合的平衡，影响电荷分布，可以通过300度以上快速热退火消除。 第8章 半导体表面与MIS结构 8.2 表面电场作用 8.2 表面电场作用 8.2 表面电场作用 讨论： 8.2 表面电场作用 8.2 表面电场作用 8.2 表面电场作用 8.2 表面电场作用 8.2 表面电场作用 8.2 表面电场作用 8.2 表面电场作用 第8章 半导体表面与MIS结构 8.3 MIS结构的C-V特性 理想MIS结构的电容效应 8.3 MIS结构的C-V特性 8.3 MIS结构的C-V特性 1，多子积累时 8.3 MIS结构的C-V特性 平带状态时： 8.3 MIS结构的C-V特性 耗尽状态时： 8.3 MIS结构的C-V特性 耗尽层状态时： 8.3 MIS结构的C-V特性 低频时： 8.3 MIS结构的C-V特性 高频时 8.3 MIS结构的C-V特性 结论： 8.3 MIS结构的C-V特性 功函数Wms对MIS结构C-V特性的影响 8.3 MIS结构的C-V特性 功函数Wms对MIS结构C-V特性的影响 8.3 MIS结构的C-V特性 功函数Wms对MIS结构C-V特性的影响 使能带回复平直的栅电压 8.3 MIS结构的C-V特性 绝缘层中电荷对MIS结构C-V特性的影响 8.3 MIS结构的C-V特性 绝缘层中电荷对MIS结构C-V特性的影响 8.3 MIS结构的C-V特性 能带恢复平直的栅电压 8.3 MIS结构的C-V特性 8.3 MIS结构的C-V特性 第8章 半导体表面与MIS结构 8.4 硅-二氧化硅的性质 研究的意义： 硅器件的表面，一般都覆盖一层二氧化硅薄膜，一方面对硅表面起到保护作用，同时对器件的稳定性影响较大。研究硅-二氧化硅系统对硅器件有重要意义。 硅-氧化硅系统存在的电荷或能量状态： 陷阱电荷 快界面态 表面电荷 可动离子 8.4 硅-二氧化硅的性质 可动离子： 特点：半径较小，带正电