第2章半导体传感器物理基础.ppt

半导体中的导电作用应该是电子导电和空穴导电的总和。 半导体中的载流子在电场作用下作漂移运动。 4、载流子的迁移率与电导率 1）载流子的迁移率 电子的平均漂移速度 一秒种内通过导体某一截面的电子电量就是电流强度； 电流密度是通过垂直于电流方向的单位面积的电流。 n：电子的浓度 平均漂移速度的大小与电场强度成正比 则 μ：电子的迁移率，习惯取正值 表示单位场强下电子的平均漂移速度 单位是m2/V·s 或者cm2/V·s 总电流密度J 两式相比可以得到半导体的电导率 un：电子迁移率 up：空穴迁移率 Jn：电子电流密度 Jp: 空穴电流密度 n：电子浓度 p：空穴浓度 对于两种载流子浓度相差很悬殊而迁移率差别不太大的杂质半导体来说，它的电导率主要取决于多数载流子。 N型半导体 P型半导体 本征半导体 不同半导体材料， 、 不同 即使是同一种材料中， 和 也不同， 一般来说 意义：平均自由时间愈长，或者说单位时间内遭受散射的次数愈少， 载流子的迁移率愈高；电子和空穴的迁移率是不同的，因为它们的平均自由时间和有效质量不同。一般电子迁移率大于空穴迁移率。 散射几率: P：表示单位时间内一个载流子遭受散射的次数。 P↑ → 散射作用强，平均自由时间短； P↓ → 散射作用弱，平均自由时间长。 2）散射 半导体的主要散射机构 晶格振动散射 说明：T↑→晶格振动越强烈→对电子的散射几率P↑→l（平均自由路程）↓→μ↓ 晶格振动散射随温度升高而增强，随着温度升高这种散 射越来越重要。 电离杂质散射 电离杂质散射随温度升高而减弱，这种散射在低温下 比较重要。 几种散射机构同时存在时 低掺杂样品：晶格散射起主要作用T↑，μ迅速↓。 高掺杂样品：低温范围，杂质散射占优，T↑，μ缓慢上升； ，直到较高温度，μ才稍下降，说明晶格散射起主导作用。μ与T有关，T↑，晶格散射越强，μ↓。 3）迁移率和电阻率随杂质浓度及温度的变化 硅电阻率与温度关系示意图 （一定施主杂质浓度） 低温区： ①EF ED，本征激发忽略，施主未全部电离。T↑，电离施主增多，n ↑ ②在此范围晶体振动不明显→电离杂质为主（μ随T↑而增加，尽管电离施主数量的增多在一定程度上限制迁移率增加），总效果仍使电阻率随温度的升高而下降 饱和区（包括室温）： ①杂质全部电离，本征激发还不十分明显，载流子基本不变 ②晶体散射起作用，使μ随T↑而下降，ρ随T↑而↑ 本征区： ni 随温度的上升而急剧增加，而迁移率随T升高而下降较慢，所以本征半导体的电阻率随着温度增加而单调下降。 5、p-n结 动态平衡下的PN结 漂移：在空间电荷区形成的内部形成电场的作用下，少子会定向运动产生漂移，即N区空穴向P区漂移，P区的电子向N区漂移。 扩散：交界处电子、空穴浓度差而引起 1 ） 空间电荷区 —— 在PN结的交界面附近，由于扩散运动使电子与空穴复合，多子的浓度下降，则在P 区和N 区分别出现了由不能移动的带电离子构成的区域，这就是空间电荷区，又称为阻挡层，耗尽层，垫垒区。 2）内部电场——由空间电荷区（即PN结的交界面两侧的带有相反极性的离子电荷）将形成由N区指向P区的电场E，这一内部电场的作用是阻挡多子的扩散，加速少子的漂移。 Uho:内电场产生的电位差 势垒高度eUho p-n结的电流-电压特性 1、正向偏压下的I-V特性 外加电压在阻挡层内形成的电场与内建电场方向相反， 空间电荷区两端电压从Vho→Vho－V变小，扩散漂移， ，从P→N空间电荷区宽度变窄。 中性区少子分布曲线（少子注入） 从N →P，的电子扩散电流 A点少子分布梯度； 从P →N，的空穴扩散电流 B点少子分布梯度 2、反向偏压下的I-V特性 此时外加电压在阻挡层内形成的电场与内建电场方向相同， 空间电荷区两端电压从Vho→Vho+V，变大，少子的漂移电流（包括电子漂移电流和空穴漂移电流）形成反向电流 ，从N→P。使空间电荷区变厚。 中性区少子分布曲线（少子抽出） 电场把p区边界上电子拉回到n区；把n区边界上的空穴拉回到p区 理想PN结的伏安特性曲线 * 推广到三维： 是半导体晶体的线度 K空间中的状态分布 其中 一个k对应于电子的一个能量状态(能级)； k空间中每个状