第3章扩散掺杂工艺精简.ppt

第三章 扩 散 扩散是微电子工艺中最基本的平面工艺，在900-1200℃的高温，杂质（非杂质）气氛中，杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，又称热扩散。 目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型，电阻率，或形成PN结。 3.1 杂质扩散机构 3.2 扩散系数与扩散方程 3.3 扩散杂质的分布 3.4 影响杂质分布的其他因素 3.5 设备与工艺 3.6 扩散工艺的发展 3.1 杂质扩散机构 扩散是物质内质点运动的基本方式，当温度高于绝对零度时，任何物系内的质点都在作热运动。 当物质内有梯度(化学位、浓度、应力梯度等)存在时，由于热运动而触发(导致)的质点定向迁移即所谓的扩散。因此，扩散是一种传质过程，宏观上表现出物质的定向迁移。 扩散是一种自然现象，是微观粒子热运动的形式，结果使其浓度趋于均匀。 固相扩散工艺 微电子工艺中的扩散，是杂质在晶体内的扩散，是固相扩散工艺。 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃在整个三维方向进行，主要有三种方式 间隙式扩散 替位式扩散 间隙—替位式扩散 间隙式扩散 替位式扩散 间隙-替位式扩散 许多杂质即可以是替位式也可以是间隙式溶于晶体的晶格中，并以间隙-替位式扩散。 这类扩散杂质的跳跃率随空位和自间隙等缺陷的浓度增加而迅速增加。 3.2 扩散系数与扩散方程 晶体衬底中杂质扩散流密度与杂质浓度梯度成正比。比例系数D定义为杂质在衬底中的扩散系数。 扩散系数（以替位式推导） D0为表观扩散系数 ΔE为扩散激活能 Si中杂质类型 间隙式杂质 主要是ⅠA和ⅧA族元素，有：Na、K、Li、H等，在硅中以间隙方式扩散，扩散速率快。 替位式杂质 主要是ⅢA和ⅤA族元素，在硅中有较高的固浓度。以替位方式扩散为主，也存在间隙-替位式扩散，扩散速率慢，称为慢扩散杂质。 间隙—替位式杂质 大多数过渡元素：Au、Fe、Cu、Pt、Ni、Ag等。都以间隙-替位方式扩散，约比替位扩散快五六个数量级，最终位于间隙和替位这两种位置，位于间隙的杂质无电活性，位于替位的杂质具有电活性。 根据杂质在晶体中的扩散系数分 快扩散杂质：H，Li, Na, Cu, Fe, K, Au, He, Ag, 慢扩散杂质：Al,P,B,Ga, Tl, Sb，As 在高温工艺中，如扩散、外延，掺杂元素的扩散系数小些好 菲克第二定律 第二扩散定律 3.3 扩散杂质的分布 扩散工艺是要将具有电活性的杂质，在一定温度，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置形成pn结，或者得到所需的掺杂浓度。 扩散工艺重要的工艺参数包括： ①杂质的分布 ②表面浓度 ③结深 ④掺入杂质总量 恒定表面源扩散 指硅一直处于杂质氛围中，硅片表面达到了该扩散温度的固溶度Cs。解扩散方程： 边界条件为：C(0，t)=Cs C(∞，t)= 0 初始条件为：C(x，0)=0，x0 恒定表面源扩散杂质分布情况 恒定表面源扩散 erfc称为余误差函数。恒定源扩散杂质浓度服从余误差分布，延长扩散时间： ①表面杂质浓度不变； ②结深增加； ③扩入杂质总量增加； ④杂质浓度梯度减小。 有限表面源扩散 指杂质源在扩散前积累于硅片表面薄层h内， Q为单位面积杂质总量，解扩散方程： 边界条件:C(x,0)=Q/h, 0xh C(∞,t)=0 初始条件：C(x,0)=0, xh 有限表面源扩散 有限源扩散杂质浓度是一种高斯函数分布。延长扩散时间： ①杂质表面浓度迅速减小；②杂质总量不变； ③结深增加； ④杂质浓度梯度减小。 两步扩散 预淀积（预扩散） 低温，短时，恒定表面源扩散—杂质扩散很浅，杂质数量可控 主扩散（再分布） 高温，扩散同时伴随氧化—控制表面浓度和扩散深度 3.4 影响杂质分布的其他因素（选学） 实验发现硅中掺杂原子分布，有Fick定律不能解释地方： 在npn窄基区晶体管基区和发射区分别扩B和扩P，在发射区正下方的基区要比不在发射区正下方的基区深，即发射区推进效应； 在热氧化过程中原存在Si内的某些掺杂原子显现更高扩散性，即氧化增强扩散。 3.5 扩散设备与工艺 扩散设备多是炉丝加热的热壁式扩散炉。和氧化炉相类似。 根据扩散源的不同有三种扩散工艺：固态源扩散，液态源扩散，气态源扩散。 选择源必需满足固溶度、扩散系数要求。 选择好掩蔽膜。 固态源扩散 扩散方式 开管扩散 箱式扩散 涂源扩散 固态源 陶瓷片或粉体：BN、B2O3、Sb2O5、P2O5等 液态源扩散 液态源 POCl3、BBr3、B(CH3O)3 （TMB） 气态源扩散 气态源 BCl3、B2H6、P