模拟电子技术基础黄瑞祥课件第4章场效应管及其放大电路.ppt

4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 场效应管（FET）是一种电压控制电流源器件。 特点：输入电阻大，温度稳定性好，制造工艺简单，集成度高等。 由于FET是依靠一种载流子导电（电子或空穴），故又称单极型三极管。 4 场效应管放大电路 FET的分类如下： MOSFET是指它的结构为：金属—氧化物—半导体的场效应管。Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor. 4.1 MOS场效应管及其特性4.1.1 增强型MOSFET（EMOSFET） 以N沟道为例，图3-1-1为N-EMOSFET的结构示意图。 图（a）结构示意图中，典型值L=1～10μm，W=2～500μm，氧化层厚度范围0.02～0.1μm。从图（a）可以看出，其物理结构为金属——氧化物——半导体的FET，故称为MOSFET。 图4-1-1(b)是N-EMOSFET的电路符号，图中衬底极的箭头方向是PN结加正偏时的正向电流方向，说明衬底相连的是P区，沟道是N型的；电路符号中漏极D到源极S之间用虚线，表示初始时没有导电沟道，属于增强型。图4-1-1（c）是当衬底U与源极S相连时N沟道EMOSFET的简化电路符号，图中箭头方向为实际电流的方向。 4.1.1 增强型MOSFET（EMOSFET） 4.1.1 增强型MOSFET（EMOSFET） 2、工作原理 在一般情况下，源极S与衬底U（或B）相连，即 。 正常工作时，源区和漏区的两个N+区与衬底之间的PN结必须外加反偏电压，即漏极对源极的电压VDS 为正值。 4.1.1 增强型MOSFET（EMOSFET） 4.1.1 增强型MOSFET（EMOSFET） 根据以上分析，可以画出VGSVGS(th) 的一定值时，ID随VDS变化的特性： ① 当VDS很小时，VDS对沟道深度（或宽度）的影响可以忽略，沟道电阻近似与VDS无关，则ID随VDS的增大而线性增大。 ② 随着VDS的增大，近漏极端的沟道宽度变窄，相应的沟道电阻增大，因而ID随VDS增大而增大趋于缓慢。 ③ 当VDS增大到 时， 近漏极端的沟道被夹断（pinch off），称为预夹断。当沟道预夹断后，VDS继续增大对漏极电流ID几乎没有影响。 4.1.1 增强型MOSFET（EMOSFET） （3）沟道长度调制效应 实际上，沟道预夹断后，继续增大VDS ，夹断点会略向源极方向移动，导致夹断点到源极之间沟道长度略有减小，相应的沟道电阻也就略有减小，结果使ID略有增大，如上图中虚线所示。 通常将这种效应称为沟道长度调制效应，如图3-1-5所示，沟道长度L随着VDS的增大而略有减小。 4.1.1 增强型MOSFET（EMOSFET） 3. MOSFET的特性曲线 在MOSFET中，输入栅极电流是平板电容器的漏电流，其值近似为零。所以，在共源极时，MOSFET的伏安特性只需由输出特性曲线簇表示： （4-1-3） 图4-1-6（a）所示是N沟道增强型MOSFET的输出特性曲线族。 4.1.1 增强型MOSFET（EMOSFET） 4.1.1 增强型MOSFET（EMOSFET） （1）非饱和区（或变阻区或可变电阻区） 它是导电沟道未被预夹断时的工作区。 工作条件为：VGSVGS(th)，VDSVGS-VGS(th)，如图4-1-6（a）虚线的左面部分。 （4-1-4） 式中：μn为自由电子的迁移率，Cox为单位面积的栅极电容量。L为沟道长度（一般在1～10μm），W为沟道宽度（一般为2～500μm）。 当VDS很小，其二次方项可忽略时，上式简化为 （4-1-5） 上式表明， ID与VDS之间呈线性关系，输出特性曲线近似为一组直线。 4.1.1 增强型MOSFET（EMOSFET） 图4-1-7所示为将它们放大后的直线族。 由图4-1-7可见，VDS很小时，MOSFET可看成为阻值受VGS控制的线性电阻器。根据式（4-1-5），其电阻值（用RON表示）为： 可见VGS-VGS(th)越小，RON就越大。显然，这个工作区相当于三极管的饱和区。 4.1.1 增强型MOSFET （EMOSFET） （2）饱和区 饱和区又称为放大区，它是导电沟道预夹断后所对应的工作区。 工作条件为： VGSVGS(th)，VDSVGS-VGS(th)，