第六章固态相变材料科学基础陶杰主编化学工业出版.ppt

第6章 固态相变的基本原理 概述 二级相变 2. 按动力学分类 1).扩散型（非协同型）： 新相的形成和长大都要依靠原子的长距离扩散，相界面进行扩散移动， 转变的速度由原子扩散迁移速度控制，相界面是非共格。 脱溶、共析、增幅分解属于这种类型。 2）. 非扩散型（位移型）： 在相变过程中没有原子的扩散运动，相变前后没有成分的变化，原子以切变的方式，即相对周围原子发生有规律的少量的偏移，基本维持原来的相邻关系，而发生晶体结构的改变。 新旧相的界面有共格 马氏体相变就是属于非扩散型相变。 3）.过度型相变： 介于二者之间的，具有扩散型和非扩散型的综合特征的中间转变称为过渡型。 a. 块状转变，更接近于扩散型相变，相界面是非共格的，相界面移动通过原子扩散进行，相变时成分不变。 b.贝氏体相变，扩散性长大和非扩散性长大相互制约。 6.1.2 固态相变的特征 1）原子的扩散速度 由于新旧两相的化学成分不同，相变时必须有原子的扩散 原子扩散速度成为相变的控制因素。 当相变温度较高时，即扩散不是决定性因素的温度范围内，随着温度的降低，即过冷度的增大，相变驱动力增大，相变速度加快；但是当过冷度增大到一定程度，扩散称为决定性因素，进一步增大过冷度，反而使得相变速度减小。 2）.形核特点 （1）非均匀形核 存在各种点线面体结构缺陷，缺陷能量最高，越能促进形核。 在固体的各种缺陷结构中，界面是能量最高的一类，其次是位错，再次是空位和其他缺陷。 非均匀形核是固态相变按阻力最小进行的有效途径之一 ①共格界面：当界面上的原子所占据的位置恰好是两相点阵的共有位置时，两相在界面上的原子可以一对一地相互匹配 。 ②半共格界面：如果一相的某一晶面上的原子排列和另一相的某晶面的原子排列不能达到完全相同，但相近，这样形成的界面在小区域内可以利用少量得到弹性变形来维持共格关系，适当利用位错的半原子面来进行补偿，达到能量较低。 ③非共格界面：当两相在界面上的晶体 结构或晶格参数差别很大时，界面原子完全不匹配。 界面错配度 界面上弹性应变能的大小取决于两相界面上原子间距的相对差值，这种相对差值又称为错配度并以δ 表之 界面能 共格界面的原子匹配性最好，界面能最低 非共格界面的原子匹配性最差，界面能最高 半共格界面能介于两者之间 为最大限度的降低固态相变的形核功，最有效的途径就是形成界面能最低的晶核。 在相变的形核初期形成共格或半共格界面，是固态相变按阻力最小进行的有效途径之一 共格应变能 因相界面共格引起的，并且仅限制在相界面附近的弹性应变能，称为共格应变能。 共格界面，两相的错配度越大，共格应变能越大。 共格界面的应变能最高 非共格界面的最低 半共格界面介于两者之间 界面能和共格应变能 相变时，形成何种界面决定于界面能和共格应变能。 当形成共格界面使界面能的降低超过了所引起的共格应变能，变形成共格界面，可以减小相变阻力。 否则，便形成半共格或非共格界面。 3）.长大特点 （1）惯习现象 固态相变时，新相往往以特定的晶向在母相的特定晶面上形成，这个晶面即称为惯习面，而晶向则称为惯习方向，这种现象叫做惯习现象。 在许多情况下，惯习面和惯习方向就是取向关系中母相的晶面和晶向，但也可以是别的晶面或晶向。 惯习现象是形核的取向关系在成长过程中的一种特殊反映。已经表明，固态相变时存在界面能与应变能，在界面能随接触界面或晶体取向的不同而变化的条件下，应该使界面能最低的相界面得到充分发展，因为这样有利于减小相变阻力；在应变能随新相成长方向而发生变化的条件下，应该沿着应变能最小的方向成长。因此，降低界面能和应变能以减小相变阻力是惯习现象出现的基本原因。 （2）共格性长大和非共格性长大 扩散相变：新相长大是通过非共格相界面的扩散性移动。即使在形核阶段形成了界面能低的共格界面，从而促进了形核，但是共格界面扩散性移动困难，最后演变为非共格界面。 非扩散相变：新相长大是依靠相界面按切边方式进行的，只有在维持两相的共格关系时才能长大，在形核和长大阶段都必须维持界面的共格性。只有当新相长大到一定程度，由于共格应变能扩大，引起两相中较软的一相发生塑性变形，共格性就会遭到破坏，长大停止。 4) 过渡相 易出现过渡相，有些反应不能进行到底，过渡相可以长期保留。 这种情况通常发生在稳定相的成分与母相相差较远，转变温度较低，原子扩散慢，稳定相的形核困难。钢中的渗碳体其实也是铁碳平衡中的一过渡相。