[研究生入学考试]半导体物理讲义.ppt

第八章 半导体表面与MIS结构 8.1 表面态 8.2 表面电场效应 8.3 MIS结构的电容-电压特性 8.4 硅-二氧化硅系统的性质 8.5 表面电导及迁移率 8.6 表面电场对pn结特性的影响 当绝缘层中的薄层电荷靠近金属表面(x=0)时，VFB=0，即绝缘层中电荷位于金属表面时，对C-V特性没有影响； 当绝缘层中的薄层电荷越靠近半导体表面(x=xd，VFB有最大值) ： 对C-V特性影响越大。 (二) 绝缘层中正电荷有一定的体分布ρ(x) 即VFB随绝缘层中电荷分布情况的改变而改变。因此，如果绝缘层中存在某种可动离子，当它们在绝缘层中移动时，其电荷分布将改变，则VFB也随之改变。 (三) 功函数差与绝缘层中电荷两种因素都存在 -Vms 8.4 硅-二氧化硅系统的性质 一、Si-SiO2系统中四种基本类型的电荷或能量状态 主要是带正电的离子：Na+、K+ 、H+等。在一定温度和 偏压条件下，可在SiO2层中迁移，对器件的稳定性影响最大; (一) SiO2层中的可动离子 位于Si-SiO2界面附近20nm的范围内，不能在SiO2中迁移; (二) SiO2层中的固定电荷 Si-SiO2界面处位于禁带中的能级或能带；在很短的时间 内与衬底半导体交换电荷，故又称快界面态； (三) 界面态 由于各种辐射，如x射线、γ射线、电子射线等引起。 (四) SiO2层中的电离陷阱电荷 可动离子 电离陷阱 界面态 固定表面电荷 二、SiO2中的可动离子 主要是带正电的离子：Na+(最主要、对器件稳定性影响最 大)、K+ 、H+等。 Na+来源：所使用的化学试剂、玻璃器皿、高温器材、人 体沾污等。 (一) Na+易于在SiO2中迁移 由SiO2的结构和Na+在其中的迁移性质决定。 1. SiO2的结构 近程有序的网络状结构：用热氧化或化学汽相淀积法在硅表面生长的二氧化硅薄膜呈无定形玻璃状结构； 该网络状结构的基本单元是由硅、氧原子组成的四面体，硅原子居于中心，氧原子位于四个角顶；两个相邻的四面 体通过一个桥键的氧原子连接起来构成网络状的结构，如下图所示； 外来杂质分两种类型： 替位式杂质：常以替位的形式居于四面体的中心，如磷、硼等； 间隙式杂质：存在于网络间隙之中，如钠、钾等大离子。 它们可使网络结构变形。这种钠离了存在于四面体之间，易于摄取四面体中的一个桥键氧原子，形成一个金属氧化物，从而将一个桥键氧原子转化成一个非桥键氧原子，削弱或破坏了网络结构，使二氧化硅呈现多孔性，导致杂质原子易于在其中迁移或扩散。 2. Na+在SiO2中的迁移性质 杂质在SiO2中扩散时的扩散系数为： B、P、Na值分别为: 3×10-6cm2/s 1.0×10-8cm2/s 5.0cm2/s 杂质激活能 因此，Na的扩散系数远大于其它杂 质。扩散系数与迁移率成正比，故 Na+在SiO2中的迁移率也特别大。 (二) Na+的漂移对MOS结构C-V特性的影响 MOS结构：Al-SiO2-Si 曲线1为原始C-V特性曲线：即初始情况，Na+聚集在Al与SiO2间。对C-V特性没有影响； 曲线2是加正10V偏压，在127℃下退火30min后测得的C-V特性曲线。此时，Na+移到靠近半导体表面处，对C-V特性影响最大，使曲线向左移动； 曲线3是加负10V偏压，在127℃下退火30min后测得的C-V特性曲线。此时，Na+又移到靠近Al与SiO2交界处，但在SiO2中保留了一些残余的Na+，因此C-V特性不能完全恢复到原始情形，而只是部分地被恢复； 这种实验一般称为温度-偏压实验，简称B-T实验； B-T实验的应用：可测量MOS工艺中Na+沾污的程度；可检查各种降低Na+沾污措施的效果，其方法如下： 求出曲线1、曲线2平带电压之差ΔVFB，由下式计算SiO2中单位面积的Na+电荷量： SiO2层单位面积的电容 故可得单位面积的Na+数为： 三、SiO2中的固定表面电荷 电荷面密度(Qfc)是固定的，即电荷不能进行充放电； 位于Si-SiO2界面的20nm范围以内； Qfc不明显地受氧化层厚度或Si中杂质类型及浓度的影响； Qfc与氧化和退火条件，Si晶体的取向有显著的关系； 晶体取向的影响：分别为[111]、[110]、[100]方向的Si表面的Qfc之比为3:2:1； 该结果有助于分析固定表面电荷的起因。目前一致认为，在Si-SiO2界面附近存在过剩硅离子是固定表面正电荷产生的原因。 (一) 特征 (二) 固定表面正电荷对MOS结构C-V