第5章低频功率放大器精选.pptVIP

5.4 功率器件、散热及保护电路 5.4.1 功率器件 5.4.2 功放管的管耗与散热 5.4.3 保护电路 在 型硅衬底上生长出一层 外延层， 区共同构成漏区， 在其上引出漏极（d极）；在 外 延层上掺杂扩散形成P层及 层， 以此为源极区并在其上引出源极 (s极)；最后利用光刻技术刻蚀出 纵向的V型槽，在整个表面氧化生 成SiO2层，并在V型槽表面蒸发一 层金属层形成栅极（g极）。 5.4.1 功率器件 （1）功率MOSFET 大功率MOSFET管采用纵向导电沟道，称为VMOSFET。 VVMOS管结构图 5.4.1 功率器件 （2）绝缘栅双极型功率管IGBT 这是一种将MOS管和双极型晶体管组合而成的功率器件。 NMOS复合管的构成及符号 PMOS复合管的构成及符号 IGBT具有大电流、 高电压、低功耗、 高输入电阻、小 驱动电流等特点。 （1）集电极功耗 与环境温度 的关系 5.4.2 功放管的管耗与散热 热功率： 集电极功耗Pc：管子在给负载输送功率的同时，本身所消耗的功率。 功放管的管耗是通过热传导的形式以散热的方式消耗掉的。 热传导：热能从高温点向低温点传送的现象。 对于功放管而言 则当环境温度和热阻一定时，功放管的最高结温对应集电 极的最大允许功耗。 Si材料允许的最高结温约为150° Ge材料允许的最高结温约为70－90° 例5－3：要求设计一功率放大器，其输出功率为100W，工作 温度为-40°C～+50°C，假设选用的硅管其TJM＝150°C,试 问应如何选择管子的PCM？ 解： 由于工作温度越高，允许的最大集电极功耗就越小， 因此以最高工作温度下的功耗来求取。 故可查手册选用PCM=30W，甚至更大的管子。 5.4.2 功放管的管耗与散热 （2）功放管的散热 5.4.3 保护电路 限制管耗即可以有效地保护功放管，因此只要限制流过 集电极地电流，就可以限制管耗。 （1） 二极管保护电路 最大输出电流为： 5.4.3 保护电路 （2） 三极管保护电路 静态时 两管的Q重合 5.2.2 乙类推挽功率放大器的分析计算 组合特性曲线 1.组合特性曲线 由于功放电路工作在大 信号状态下，不能采用微变 等效电路分析，必须采用图 解法分析。为了便于分析， 将VT1的特性曲线倒置在VT2 特性曲线的下方，它们的静 态工作点重合。 工作原理分析 A 2.输出功率 不考虑uCES时，输出功率是 ΔAQO的面积，此时输出功 率最大。 两个晶体管的输出功率为： 定义电压利用系数 即忽略晶体管的饱和压降 结论： 通常所指的输出功率 是指在线 性区得到的最大输出功率。如一功率放大器输出功率为10W，就是这 个意思。实际输出功率与激励信号的大小有关。 3.直流电源供给晶体管集电极的直流功率 直流电源供给晶体管集电极的直流功率是由两个电源供 给的，由于每个晶体管只导通半周期，故流过每个集电极的 电流为半个周期的非正弦波。 可见，输入信号越大，即ξ越大， 需要提供的直流电源供给功率PU就越大； 反之，输入信号越小，需要提供的直流 电压功率就越小。当输入信号为零时， 直流电源不需要提供功率。 这说明电源供给的直 流功率不是恒定不变的， 而是根据输入信号大小而 变化。因此乙类功放的效 率高（与甲类进行比较）。