现代材料分析方法14-sem.pptx

电子显微镜电子探针与能谱入射电子束X 射 线二次电子扫描电镜反射电子轫致辐射吸收电子样 品阴极发光衍射电子透射电子俄歇电子俄歇电子谱仪透射电镜电子束与物质的相互作用二次电子当样品原子的核外电子受入射电子激发获得了大于临界电离的能量后，便脱离原子核的束缚，变成自由电子，其中那些处在样品表层而且能量大于材料逸出功的自由电子就可能从表面逸出成为真空中的自由电子，即二次电子。背散射电子背散射电子也称为初级背散射电子，是指受到固体样品原子的散射之后又被反射回来的部分入射电子。吸收电子高能电子入射比较厚的样品后，其中部分电子随着与样品中原子核或核外电子发生非弹性散射的次数增多，其能量不断降低，直至耗尽。这部分电子既不能穿透样品，也无力逸出样品，只能留在样品内部，即被称为吸收电子。电子光学基础 —— 光学显微镜的局限性两个发光点的分辨距离为： － 物镜与物体之间介质的折射率 － 半孔径角，不能大于90° － 显微镜的数值孔径 － 光线的波长扫描电子显微镜扫描电子显微镜 —— 工作原理和结构扫描电镜的特点：有很大的景深，是研究固体试样表面形貌的有力工具。放大倍数范围宽，对试样的观察研究非常方便。试样制备简单。可获得试样表面化学成分等信息，是对固体物质表层进行综合分析的仪器。热障涂层断面扫描电镜照片NiAl-Cr(Mo)背散射电子像扫描电子显微镜 — 材料研究中的应用失效分析中的应用 从金属的端口特性可以分析材料的断裂原因和过程。观察小试样 对细丝、薄片等小试样的端面以及试样的边缘部分进 行扫描电镜观察非常方便。动态观察电 子探 针入射电子束X 射 线二次电子扫描电镜反射电子轫致辐射吸收电子样 品阴极发光衍射电子透射电子俄歇电子俄歇电子谱仪透射电镜电子束与物质的相互作用扫描电镜/能谱分析(SEM/EDS）ＥＤＸ原理图液体氮电子束ＦＥＴＳｉ（Ｌｉ）检测器窗口平行光管Ｘ射线样品锂漂移硅Si(Li)检测器当X射线光子进入检测器后，在Si(Li)晶体内激发出一定数目的电子－空穴对。产生一个空穴对的最低平均能量ε是一定的，因此由一个X射线光子造成的电子－空穴对的数目为N，入射X射线光子的能量越高，N就越大。ＥＤＸ原理图液体氮 主放大器电子束前置放大器脉冲整形器ＦＥＴＳｉ（Ｌｉ）检测器窗口平行光管多道分析器Ｘ射线样品低真空１５ｋＶ高真空低加速　２ｋＶファウンデーション粉末ＥＤＸ分析ＣＡｌＯＳｉＴｉＫＺｎＣａＳＣｕＦｅファウンデーション粉末ＴｉＺｎＦｅ背反射電子像二次電子像②①金属破面定　量　分　析①Element Intensity Weight% AT% K-Value Z A FC 1.133 19.723 35.480 0.01100 0.95060 11.7174 1.00000O 0.355 2.647 3.575 0.00454 0.96658 3.74882 1.00000Mg 0.424 0.450 0.400 0.00255 1.00680 1.13331 0.96094Al 34.767 37.156 29.754 0.21355 1.03825 1.05859 0.98364Si 26.207 40.024 30.791 0.17323 1.00978 1.42168 1.00000 Total 100.000 100.000 0.40487②Element Intensity Weight% AT% K-Value Z A FC 2.712 23.209 42.340 0.02685 0.94567 8.90120 1.00000O 0.480 2.096 2.871 0.00615 0.96099 3.45397 1.00000Al 53.687 41.112 33.387 0.32976 1.03079 1.18676 0.99238Si 20.081 21.257 16.585 0.13274 1.00224 1.55662 0.99953Fe 1.527 11.297 4.433 0.06892 1.07046 1.49102 1.00000Ni 0.091