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非晶态半导体的阈值开关机理 　　摘要：从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理。利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等，从3个方面描述非晶态半导体的阈值开关形成的原因，给出非晶态半导体的阈值开关的“开态”和“关态”时的形成过程。对不同状态下载流子的运动规律、电场强度、电导率进行了较详尽的分析，从而论述非晶态半导体的阈值开关机理。 　　关键词：非晶态；阈值开关；电导率；半导体 　　中图分类号：TN401 　　文献标识码：B 　　文章编号：1004―373X(2008)04―184―02 　　 　　非晶态半导体阈值开关器件是指往复开关多次不会破坏的器件。这种器件的I-V曲线如图1所示，当电压超过阈值Vci时，器件进行开关(Switch)。但在“关态”(OFF state)与“开态”(ON state)之间无稳定的操作点，电流降至维持电流IN以下，器件即转到原始状态。 　　 　　一般观察的结果表明，非晶半导体阈值开关器件受破坏的原因，多半是由于电极与半导体合金化，引起了大量的电子迁移，导致非晶态半导体分相或部分分相。所以多数器件失效的原因是由于性质变化，而不是彻底破坏，因而在探讨阈值开关机理以前，首先应肯定非晶态半导体材料在开关过程中没有发生性质变化，目前有关阈值开关的机理，有2类模型：一类是非均匀模型，即在两电极导电丝区域内，非晶态半导体薄膜发生结构变化；另一类是均匀模型，即假定开关过程中，非晶态半导体薄膜基本是均匀的非晶态。 　　 　　1　非均匀模型(Heterogeneous Model) 　　 　　在两电极之间，由于强电流作用产生一条瞬间导电丝(filament)，导电丝结构与母体玻璃结构不同。X射线及电子显微镜鉴定结果表明，富Te硫系玻璃的导电丝区域，包含许多嵌入母体中微小树枝状的Te晶体，晶体的晶轴取向和电流的取向相同。Bosnell和Thomasc认为，在极快的开关过程中，由于导电丝的电场，以及因电阻产生的较高温度，使得具有方向性的Te晶体从玻璃母体中分离出来；在关态时，这些微晶体保持孤立状态，当晶体形成连续相、并具有较高的电导率时，即成为“开态”，伴随着非晶态半导体的析晶或部分析晶，导电丝区域的性质发生很大变化，因而器件的开关特性取决于导电丝的晶体形貌。然而，选择适宜的电极材料及非晶态半导体材料，也可以避免导电丝的分相及析晶过程，这种器件的首次开通电压和以后的阈值电压基本相同，凡是首次开通电压和以后的阈值电压相差小于10％的器件。他的寿命最长。 　　在室温条件下，若当电极面积与导电丝截面相差很大时，开关后导电丝组分有少量变化，“关态”时，电阻值显示不出什么区别。如果在低温条件下测量，开关后非晶态半导体组分的少量变化可以使“关态”电阻值差几个数量级。 　　 　　2 热和热电理论(Thermal and Electrothermal Theories) 　　 　　具有负阻温度系数的材料，常由于焦耳热将材料内部的温度升高，因而电阻值降低，通过更多的电流，转而增加更多的焦耳热，使受热区域通过的电流增加，这样循环下去，直到产生的焦耳热与导电丝产生的焦耳热平衡。但是根据非晶态半导体的“开态”现象，“开态”时器件的电压与膜厚无关，电压降应该产生在电极处。然而按照热理论，电压降必须在与电极交接处的非晶态半导体冷层中产生，这样就和实验相矛盾。因而假定非晶态半导体的电导随着场强增加而增加，或引入空间电荷注入及隧道过程，以减少靠近电极非晶态半导体冷层的阻抗，使得非晶态半导体薄膜的击穿电压及“开态”阻抗大大降低，这就是在热机理中加入电子校正，称为电热理论(Electrathermal Theo―ries)。这种理论和热机理的热阻理论不同，因为场致增强电导，不受非晶态半导体冷层的影响，甚至在完全散热的电极和较低的电压也能得到负阻温度系数区域。 　　非晶半导体的电导率随着电场强度呈指数关系上升趋势，图2所示为“关态”时，不同温度下场强与电导率的关系。高场强区域的电导可用表示为： 　　 　　 　　3 电子理论 　　 　　由于非晶态半导体在击穿以前场致电导骤增，可能是电子过程，如载流子雪崩、双注入或强电场隧道效应等导致击穿。特别是使用薄型非晶态半导体薄膜，或极易散热的电极结构时，由热或热击穿引起的导通态更不易发生，可是电子运动引起的开关过程，也必须形成电流通道，在通道中也将因焦耳热而引起温度上升，所以电子理论也必须包括由热导致的效应方能全面描述开关现象。 　　场致载流子从费米能级以下的占有态跃迁至费米能级以上的空态，可用费米能级分裂成两个准费米能级来表示如图3所示。伴随电场强度的增加，电导率以指数上升，这些多余的电流不能完全从电极补充，因而在阴极产生空间正电荷，在电极间建立电场。由于电极