功率Ｐ－ＦＥＴ控制器ＬＴＣ４４１４.docVIP

功率Ｐ－ＦＥＴ控制器ＬＴＣ４４１４ 　　LTC4414是一种功率P-EFT控制器，主要用于控制电源的通、断及自动切换，也可用作高端功率开关。该器件主要特点：工作电压范围宽，为3．5～36V；电路简单，外围元器件少；静态电流小，典型值为30μA；能驱动大电流P沟道功率MOSFET；有电池反极性保护及外接P-MOSFET的栅极箝位保护；可采用微控制器进行控制或采用手动控制；节省空间的8引脚MSOP封装；工作温度范围40℃～+125℃。 　　 　　引脚排列及功能 　　 　　LTC4414的引脚排列如图1所示，各引脚功能如表1所示。 　　 　　基本工作原理 　　 　　这里通过内部结构框图及外接元器件组成的电源自动切换电路来说明其工作原理。内部结构框图及外围元器件组成的电路如图2所示。其内部结构是由放大器A1、电压／电流转换电路、电源选择器(可由VIN端或SENSE端给内部电路供电)、模拟控制器、比较器C1、基准电压源(0．5V)、线性栅极驱动器和栅极电压箝位保护电路、开漏输出FET及在CTL内部有3．5μA的下拉电流源等组成。外围元器件有P沟道功率MOSFET、肖特基二极管D1、上拉电阻RPU、输入电容CIN及输出电容COUT°。 　　图2中有两个可向负载供电的电源(主电源及辅电源)，可以由主电源单独供电，也可以接上辅电源，根据主、辅电源的电压由LTC4414控制实现自动切换。这两种供电情况分别如下。 　　1　主电源单独供电 　　主电源单独供电时，电流从LTC4414的VIN端输入到电源选择器，给内部供电。放大器Al将VIN和VSENSE的差值电压放大，并经过电压／电流转换，输出与VIN―VSESNSE之值成比例的电流输入到模拟控制器。当VIN―VSESNE20mV时，模拟控制器通过线性栅极驱动器及箝位保护电路将GATE端的电压降到地电平或到栅极箝位电压(保证―VGS≤8．5 V)，使外接P―MOSFET导通。与此同时，VSESNE被调节到VSESNE=VIN―20mV，即外接p-MOSFET的VDS=20mV。P-MOSFET的损耗为ILOAD×20mV。在P-MOSFET导通时，模拟控制器给内部FET的栅极送低电平，FET截止，STAT端呈高电平(表示P-MOSFET导通)。 　　2　加上辅电源 　　当加上辅电源(如交流适配器)后，如果VSESNEUVIN+20mV，则内部电源选择器由SENSE端向内部电路供电。模拟控制器使GATE端电压升高到VSSENSE，则P-MOSFET截止，辅电源通过肖特基二极管D1向负载供电。这种电源切换是自动完成的。 　　在辅电源向负载供电时，模拟控制器给内部FET的栅极送高电平，FET导通，STAT端呈低电平(表示辅电源供电)。上拉电阻RPU的阻值要足够大，使流过FET的电流小于5mA。 　　在上述两种供电方式时，CTL端是接地或悬空的。CTL的控制功能将在下面的应用电路介绍。 　　 　　典型应用电路 　　 　　1　主、辅电源自动切换电路 　　图3是一种减少功耗的主、辅电源自动切换电路，其功能与图2电路相同，不同之处是用一只辅P-MOSFET(Q2)替代了图2中的D1，可减少电压降及损耗。其工作原理与图2完全相同。 　　2　由微控制器控制的电源切换电路 　　由微控制器(μC)控制的电源切换电路如图4所示。此图中的主、辅p-MOSFET都采用了两个背对背的P―MOSFET组成，其目的是主电源或辅电源中的P-MOSFET截止时，均不会通过P-MOSFET内部的二极管向负载供电。其缺点是电源要通过两个P―MOSFET才能向负载供电，损耗增加一倍，并增加成本。 　　图4虚线框中的稳压二极管(一般取8～10V)连接在辅P-MOSFET的极限―VGSS时，由于稳压二极管的击穿电压一VGS，稳压二极管被击穿使P―MOSFET的―VGS箝位于8～10V，从而进行保护。 　　主、辅电源的电压若等于或小于μC的工作电压时，主、辅电源可直接连接μC的ADC接口；若主、辅电源的电压大于μC的工作电压时，则电源电压要经过电阻分压器分压后才能输入μc的ADC(图4中，主辅电源直接与μc接口)。 　　μu C的I／O口与LTC4414的CTL端连接。当在CTL端施加逻辑低电平时(低于0．35V)时，主电源向负载供电(不管辅电源的电压高低)；当μC向CTL端施加高电平(高于0．9V)时，则由辅电源向负载供电(也不管其电压比主电源高还是低)。一旦辅电源供电，主电源可移去。只有当主电源高于辅电源并且在CTL端置低电平时才能使主电源恢复供电。为了在切换的瞬间使输出电压变化较小，输出电容COUT要有足够的电容量。 　　这电路切换的过程是：CTL=H时，GATE端的电压与SENSE端的电