[工学]材料测试技术第一章2011.ppt

相干散射 X射线光子 内层电子 X射线光子 全部 全部 相干散射 物质中的电子在X射线电场的作用下，产生强迫振动。这样每个电子在各方向产生与入射X射线同频率的电磁波。新的散射波之间发生的干涉现象称为相干散射。 非相干散射 入射波长越短，被照射物质元素越轻，非相干散射越显著 又称康普顿－吴有训效应 非相干散射 X射线光子与束缚力不大的外层电子 或自由电子碰撞时电子获得一部分动能成为反冲电子，X射线光子离开原来方向，能量减小，波长增加。 非相干散射是康普顿（A.H.Compton）和我国物理学家吴有训等人发现的，亦称康普顿效应。非相干散射突出地表现出X射线的微粒特性，只能用量子理论来描述，亦称量子散射。它会增加连续背影，给衍射图象带来不利的影响，特别对轻元素。 X射线的吸收 物质对X射线的吸收指的是X射线能量在通过物质时转变为其它形式的能量，X射线发生了能量损耗。物质对X射线的吸收主要是由原子内部的电子跃迁而引起的。这个过程中发生X射线的光电效应和俄歇效应。 光电效应； 俄歇效应。 光电效应 以X光子激发原子所发生的激发和辐射过程。被击出的电子称为光电子，辐射出的次级特征（标识）X射线称为荧光X射线。 产生光电效应条件，X射线光子波长必须小于吸收限λk。 产生光电效应，X射线光子波长必须小于吸收限λk。激发K系光电效应时，X射线光子的能量必须大于（临界值应等于）为击出一个k层电子所作的功，即： 从激发光电效应的角度讲，λk称为激发限波长；从X射线吸收的角度讲，λk称为吸收限波长。 —— －K系激发频率 －K系激发限 －K系激发电压（kV） 注意点： ①荧光X射线的波长一定大于入射X射线的波长； ②在X射线衍射分析中，X射线荧光辐射是有害的，它增加衍射图象的背底，但在元素分析中，它又是X射线荧光光谱分析的基础。 原子在入射X射线光子或电子的作用下失掉K层电子，处于K激发态；当L层电子填充空位时，放出EL-Ek能量，产生两种效应： (1) 荧光X射线（又称二次特征X射线）； (2) 产生二次电离，使另一个核外电子成为二次电子——俄歇电子。 俄歇电子 俄歇效应规律和特点： ①俄歇电子的能量与激发源的能量无关，只取决于物质的原子能级结构，每种元素都有自己的特征俄歇电子能谱，它是元素的固有特性，所以可以利用俄歇电子能谱作元素的成份分析； ②俄歇电子的能量很低，一般只有几百电子伏特，因此只有表面几层原子所产生的俄歇电子才能逸出物质表面被探测到，所以俄歇电子仅能带来物质表面的化学成份信息； ③随着物质原子序数Z减小，被激物质原子发射俄歇电子的几率增加，发射标识X射线的几率降低，也就是说超轻元素或轻元素以发射俄歇电子为主。 X射线的衰减（或吸收）规律 当一束X射线通过物质时，由于散射和吸收的作用使其透射方向上的强度衰减。衰减的程度与所经过物质中的距离成正比。式 质量衰减系数μm 表示单位质量物质对X射线强度的衰减程度。 质量衰减系数与波长和原子序数Z存在如下近似关系： 其中 K为常数 μm随λ的变化是不连续的，其间被尖锐的突变分开。突变对应的波长为λK、 λL等吸收限。 晶体的线型衰减系数 晶体的线型衰减系数可由下式求得： 其中μ为线型衰减系数，ρ为晶体密度，单位g/cm3，μm为质量衰减系数，P为晶体中各元素的质量百分比。 物质的衰减系数另一计算法 已知各元素的在混合物中的质量分数（浓度），则可用下式计算该混合物的总的质量衰减系数 或 吸收限的应用 吸收限主要是由光电效应引起的：当X射线的波长等于或小于λK时光子的能量E达到击出一个K层电子的功WK，X射线被吸收，激发光电效应。使μm突变性增大。 吸收限与原子能级的精细结构对应。如L系有三个副层，有三个吸收限。 滤波片的选择: (1)它的吸收限位于辐射源的Kα和K β之间，且尽量靠近K α 。强烈吸收Kβ，Kα吸收很小； (2)滤波片的选择以将Kα强度降低一半为最佳。 Z靶40时 Z滤片=Z靶-1； Z靶?40时 Z滤片=Z靶-2。 阳极靶的选择: （1）阳极靶K波长稍大于试样的K吸收限； （2）试样对X射线的吸收最小。 Z靶≤Z试样+1。 X射线的折射 X射线从一种介质进入另一种介质产生折射，折射率M非常接近1，M约为0.99999~0.999999 。 X射线与物质相互作用的总结 热能 透射X射线衰减后的强度Ix 散射X射线 电子 荧光X射线 相干的 非相干 的 反冲电子 俄歇电子 光电子 康普顿效应 俄歇效应 光电效应 1-6 X射线的探测与防护 （1) X射线的探测； （2）X射线的安全防护 。 X射线的探