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引言 随着现代电气、电子技术的发展及广泛应用,在电气系统及电子产品中,电磁环境越来越复杂,电磁污染越来越严重.目前,电磁兼容设计已成为电子产品设计中的一项关键技术. 2)电磁屏蔽 电磁屏蔽是防止高频电磁波干扰，用于抑制噪声源和敏感设备距离较远时通过电磁场耦合产生的干扰。 3) 磁屏蔽 磁屏蔽是防止低频的磁场感应，屏蔽较困难，通常采用高导磁率和低电阻率的金属材料构成具有一定厚度的壳体，以便将磁力线限制在磁阻小的屏蔽体内部，防止磁场的扩散，这就是磁屏蔽的基本原理。 地球的磁力线由北极经地球表面而进入南极。人体睡眠时的生物电流通道与地球磁力线方向相互垂直，那么地球磁场的磁力就成为人体生物电流的强大阻力。可是人体要为恢复正常运行达到新的平衡状态，就得消耗大量热能，用来提高代谢能力。 若采用“南北”睡向，人体内的细胞电流方向即可与地球磁力线方向成平行状态，人体内的生物大分子排列则为定向排列，这样，气血运行便可通畅，代谢降低，能量消耗锐减，睡眠中的慢波、快波即能协调进行，加深睡眠深度，从而可以提高睡眠质量，有利于身心健康。 若是睡觉方向为“东西”向，机体从外 界得不到足够的能量补充，而磁场的磁力又得 不到及时排，除所消耗的热量又以热的形态萦绕于 周身，导致体温升高，则气血运行就会出现失常，产生病态，通常呈现出头昏、烦躁、失眠、颈椎酸疼等症状。 第二节、需要屏蔽的器件及屏蔽的发展史 变压器、电动机、簧片式继电器、电源、放大器、真空管、光电倍增管、电杆、磁控管、扩音器、仪表、扬声器、记录磁头、电缆、晶体管、电波滤波器等。 电磁屏蔽的发展史 电屏蔽的实质是减小2个设备间电场感应的影响。电屏蔽的原理是在保证良好接地的条件下,将干扰源所产生的干扰终止于由良导体制成的屏蔽体.因此,接地良好及选择良导体做为屏蔽体是电屏蔽能否起作用的2个关键因素. （2）屏蔽效能 屏蔽体对辐射干扰的抑制能力用屏蔽效能SE(shieldinge -ffeetiveness)来度量.屏蔽效能是没有屏蔽体时,从辐射干扰源传输到空间某个位置P的场强E1(H1)与加人屏蔽体后,辐射干扰源传输到空间同一个位置P的场强E2(H1)的比值,它表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度.由于屏蔽体通常能将电磁波衰减到原来的1/l000000一1/100,因此通常用分则dB)来表示.表达式为 （3）电磁兼容三要素及抑制方法 干扰源、藕合途径(传导性藕合与辐射性祸合)及敏感设备组成电磁兼容三要素,缺一不可. （3）影响电磁屏蔽的几个因素 一般除了低频磁场外,大部分金属材料可以提供100dB以上的屏蔽效能.但在实际的情况中,常见的是金属做成的屏蔽体并没有如此高的屏蔽效能,甚至没有屏蔽效能.为了提高机箱的屏蔽效能,应弄清以下几个因素: 2)：保持屏蔽体的导电连续性,减小开口与缝隙:电磁屏蔽的关键是保证屏蔽体的导电连续性,即整个屏蔽体必须是一个完整的、连续的导电体.但一个实用的机箱上总会有很多开口和不同部分结合的缝隙等.箱体电磁兼容性设计主要内容就是如何妥善处理这些开口与缝隙. 3)：穿过屏蔽体的电缆危害最大:实际机箱屏蔽效能降低的一个主要原因是穿过屏蔽机箱的电缆.机箱上总会有电缆的进出,至少会有一条电源电缆.这些电缆极大地影响屏蔽体,使屏蔽体的屏蔽效能降低数十分贝.妥善处理这些电缆是屏蔽设讨一中的重要内容之一 第四节、几种典型的屏蔽材料 薄膜型的透明屏蔽材料研究比较早, 主要有 In2O3基薄膜、SnO2基薄膜和 ZnO 基薄膜 （1）薄膜型的透明屏蔽材料 掺 Sn 的 In2O3薄膜(ITO) 是目前研究和应用最广泛的透明导电薄膜及屏蔽材料。 ITO 膜是一种性能优良的透明导电材料, 它对可见光范围透明, 而且又有低的电阻率,并与玻璃等载体有较的附着力、良好的耐磨性及化学稳定性。 制备的 ITO 薄膜, 电阻率可达 5.10-4Ω·cm, 可见光的透射率可达 90%。众多的文献[5- 8]表明,Sn 掺杂的浓度直接影响膜的光学性能及电学性能, 当 Sn 的掺杂量为 10%( 摩尔分数)时, ITO 薄膜具有最优的光电性能。 为了进一步降低电阻率, Hultake A 等人在 ITO 中加人少量银, 研究表明采用这种办法可以降低后续处理的温度并能得到高性能的透明导电薄膜。 在 ITO 中, 掺 Sn 之后构成的 In2O3∶Sn n 型半导体的禁带宽度比纯 In2O3加宽了。它的电阻率介于10-3～10-4Ω·cm 之间, 可见光透射率达 85%以上。