[工学]第4章-半导体光子学基础.ppt

第四章 半导体光子学基础 Chapter 4 Fundamental for Semiconductor Photonics 1 辐射复合和非辐射复合 1.1 辐射复合 1.2 非辐射复合 2 半导体中的光发射 2.1 自发辐射 2.2 受激辐射 3 光吸收 4.1 几种光吸收 4.2 带间跃迁光吸收 4.3 自由载流子光吸收 4 阀值条件 5 光增益谱 激光的三个基本要素 产生激光的物质 粒子数反转 谐振腔 波导中的模式增益 Quantum-confined structures are much smaller than the optical wavelength: mode extends beyond the gain region. Modal Gain (G) is defined as the fractional increase in the energy in the whole mode per unit distance. 1. 辐射复合和非辐射复合1.1 辐射复合 a、带间复合 b、浅杂质与带间的复合 c、施主 - 受主复合 d、激子复合 e、其它辐射复合 辐射复合 a、带间复合 半导体材料中导带底的电子同导带顶的空穴复合，其能量 大小为： （4-1） 所以有： （4-2） 式中?和Eg的单位分别为?m和eV。 一般来说，载流子不完全位于导带底最低处和导带顶最高处，而是导带底和价带顶附近的载流子都会参与这种带间复合，因而这种带间复合的发射光谱具有一定的宽度。 b、浅杂质与带间的复合 浅施主—价带、导带—浅受主间的载流子复合产生的辐射光为边缘发射，其光子能量总比禁带宽度小。 c、施主—受主复合 施主能级上的电子同受主能级上的空穴复合产生辐射复合，其光子能量小于Eg，简称对复合。 d、激子复合 在某些情况下，晶体中的电子和空穴可以稳定地结合在一起，形成一个中性“准粒子”，能在晶体中作为一个整体存在，这种“准粒子”就叫做激子。 e、其它辐射复合 深能级复合、等电子陷阱复合。 以等电子杂质替代晶格基质原子，因其原子大小和电负性等性质与基质原子原子不同，造成电子和空穴的束缚态，其作用好象陷阱，故通常称之为等电子陷阱。利用等电子陷阱复合，可以使间接带隙材料的发光效率得到提高。 等电子中心 等电子中心是半导体中的一种深能级杂质所产生的一种特殊的束缚状态。 等电子杂质与所取代的基体原子具有相同价电子数目的一类杂质；一般不是电活性的，在半导体中不应产生能级状态。 等电子杂质有时在禁带中可产生出能够起陷阱作用的深能级，故又称等电子中心为等电子陷阱。 等电子中心 杂质原子与基体原子的电负性不同（虽然其价电子数目相同）。 例如，对于GaP半导体中的N和Bi杂质，由于N、P、Bi的电负性分别为3.0、2.1、1.9，当杂质N取代晶格上的P之后，N比P有更强的获得电子的倾向，则可吸引一个导带的电子而成为负离子——电子陷阱；当杂质Bi取代晶格上的P之后，Bi比P有更强的给出电子的倾向，则可吸引价带的一个空穴而成为正离子——空穴陷阱。 等电子杂质不会象施主和受主那样，产生长程作用的Coulomb势，但却存在有由核心力引起的短程作用势，从而可形成载流子的束缚态——陷阱能级。 1.2 非辐射复合 a、多声子跃迁 晶体中的电子与空穴复合时，可以激发多个声子，从而释放出其能量，由于发光半导体的通常在1eV以上，而一个声子的能量通常为?0.06eV。因此，电子—空穴复合可以通过杂质、缺陷产生多声子跃迁。多声子跃迁是一个几率很低的多级过程。 b、俄歇复合 电子—空穴复合时，把多余的能量传输给第三个载流子，使其在导带或价带内部激发，第三个载流子在能带的连续态中的多声子跃迁，并耗散其多余的能量，回至其初始的状态，这种复合过程称之为俄歇复合。因有多声子参与，俄歇复合是非辐射复合。 c、表面复合和界面态复合 晶体表面的晶格中断，产生悬链，能够产生高浓度的深的和浅的能级，它们可以充当复合中心。表面复合是通过表面连续的跃迁进行的，因而是非辐射复合。 俄歇（Auger）复合 半导体中的复合分为辐射跃迁、声子跃迁和俄歇跃迁。 俄歇跃迁相应的复合过程可以称为俄歇复合。 俄歇效应是三粒子效应，在半导体中，电子与空穴复合时