第4章 4.1基本放大电路.ppt

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第4章 4.1基本放大电路

本章要求: 放大的概念: 一 基本放大电路的组成 3 共射放大电路的电压放大作用 结论: 结论: 结论: 1. 实现放大的条件 2. 直流通路和交流通路 二 放大电路的静态分析 1 用估算法确定静态值 2 用图解法确定静态值 三 放大电路的动态分析 1 微变等效电路法 动态分析图解法 非线性失真 非线性失真 四 静态工作点的稳定 2. 静态工作点的计算(见例子) 3. 动态分析 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 五 放大电路的频率特性 六 射极输出器 共集电极放大电路(射极输出器)的特点: 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 七 差分放大电路 1 差动放大电路的工作情况 1). 零点漂移的抑制 2). 有信号输入时的工作情况 (3) 比较输入 典型差动放大电路 八 互补对称功率放大电路 1 对功率放大电路的基本要求 2 互补对称放大电路 1. OTL电路 九 场效应管及其放大电路 1 绝缘栅场效应管 2). 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 9.3 场效应管放大电路 9.3 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 (1) 开启电压 UGS(th):是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off): (3) 饱和漏电流 IDSS: 是耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm:表示栅源电压对漏极电流 的控制能力 极限参数:最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高 双极型三极管 单极型场效应管 热稳定性 差 好 制造工艺 较复杂 简单,成本低 对应电极 B—E—C G—S—D 场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点,常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。 场效应管的源极、漏极、栅极相当于双极型晶体管的发射极、集电极、基极。 场效应管的共源极放大电路和源极输出器与双极型晶体管的共发射极放大电路和射极输出器在结构上也相类似。 场效应管放大电路的分析与双极型晶体管放大电路一样,包括静态分析和动态分析。 . 在图示放大电路中,已知UCC=12V, RE= 2kΩ, RB= 200kΩ, RL= 2kΩ ,晶体管β=60, UBE=0.6V, 信号源内阻RS= 100Ω,试求: (1) 静态工作点 IB、IE 及 UCE; (2) 画出微变等效电路; (3) Au、ri 和 ro 。 RB +UCC C1 C2 RE RL ui + – uo + – + + es + – RS (1)由直流通路求静态工作点。 直流通路 +UCC RB RE + – UCE + – UBE IE IB IC rbe RB RL E B C + - + - + - RS RE 微变等效电路 零点漂移:指输入信号电压为零时,输出电压发生 缓慢地、无规则地变化的现象。 uo t O 产生的原因: 晶体管参数随温度变化、电源电压波动、电路元件参数的变化。 零点漂移 零点漂移的危害: 直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。 严重时,可能淹没有效信号电压,无法分辨是有效信号电压还是漂移电压。 电路结构对称,在理想的情况下,两管的特性及对应电阻元件的参数值都相等。 差动放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。 差动放大原理电路 +UCC uo ui1 RC RB2 T1 RB1 RC ui2 RB2 RB1 + +

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