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[工学]第八章 重量分析法
第一节 概述 第一节 概述 第一节 概述 (二)次要因素 ?为什么同样的沉淀(如BaSO4 ),采用不同的沉淀条件,会得到大小差异较大的沉淀? 原因:采用不同的沉淀条件则相对过饱和度不相同。相对过饱和度越小,异相成核越占优势,晶核总数越少,沉淀颗粒越大。 如在稀溶液中沉淀BaSO4,通常得到晶型沉淀,若在浓溶液(0.75~3mol/L)中,则形成无定形沉淀。 (二)晶体的成长过程及影响沉淀类型的因素 1、聚集过程 2、定向过程 当晶核形成后,溶液中的构晶离子向其表面堆积形成肉眼可见的沉淀颗粒的过程称为聚集过程。 在聚集的同时,构晶离子又有按一定的晶格整齐排列在晶核的表面从而形成更大晶粒的过程称为定向过程。 V聚集V定向 无定形沉淀 V聚集V定向 晶体沉淀 3、晶体成长过程影响沉淀类型因素 (1)定向过程的速度(V定向): (2) 聚集过程的速度( V聚集): 主要与沉淀本身物质的性质有关。如极性较强的盐类(BaSO4、CaC2O4等),一般具有较大的定向速度,故常生成晶形沉淀。 主要与相对过饱和度有关,相对过饱和度越小,聚集速度越小。 第四节 影响沉淀纯度的因素 一、影响沉淀纯度的因素: 共沉淀现象、后沉淀现象 (一)共沉淀现象 1、概念: 在进行沉淀反应时,某些可溶性杂质混杂于沉淀之中与其一起沉淀下来的现象,叫做共沉淀现象。 2、产生的原因: 表面吸附、吸留与包夹,生成混晶 思考:为什么会出现表面吸附? 举例:Ba2+、Fe3+共存溶液中,加入过量沉淀剂H2SO4,生成的BaSO4晶体表面吸附了Fe2(SO4)3 晶体表面电荷不等衡造成的 ①表面吸附:在沉淀的表面吸附了杂质 Ba2+ Ba2+ Ba2+ Ba2+ Ba2+ SO42- SO42- SO42- SO42- Ba2+ SO42- SO42- 表面 SO42- SO42- 第一吸附层 Fe3+ Fe3+ 第二吸附层 双电层 (1)第一吸附层:构晶离子首先被吸附,其次是与构晶离子大小相近、电荷相同的离子易被吸附。 如BaSO4沉淀比较容易吸附Pb2+ 如在沉淀BaSO4时,溶液中有Ba2+ 、NO3-、Cl-,当加入稀H2SO4的量不足时,则BaSO4沉淀首先吸附Ba2+ ,然后再吸附NO3-而不易吸附Cl- 。因为Ba(NO3)2的溶解度小于BaCl2。 (2)第二吸附层:离子的电荷数越高越容易被吸附,其次是能与构晶离子生成难溶化合物或解离度较小的化合物的离子也容易被吸附。 选择吸附的规律 多次洗涤 ②吸留与包夹 解决办法: 概念 吸留—在反应中,由于沉淀生成的速度过快,表面吸附的杂质离子还来不及离开,就被随后生成的沉淀所覆盖而包藏在沉淀内部,这种情况称之为吸留。 包夹—如留在沉淀内部的是母液,则称之为包夹。 包夹无选择性,包夹的杂质可能有沉淀生成后的溶液(即母液)中的各种离子、分子以及溶剂水。吸留实质上是吸附,具有一定的选择性,符合吸附规律。 吸留与包夹的区别 重结晶或陈化 解决办法 ③生成混晶:杂质离子与构晶离子的半径相近,电子层结构相同,所生成的晶体结构也相同时,加入沉淀剂,构晶离子与杂质离子同时在一个晶格上出现而得到的晶体叫混晶。如: BaSO4、PbSO4 解决办法 陈化 * * 第八章 沉淀重量分析法 第一节 概述 第二节 沉淀的溶解度及其影响因素 第三节 影响沉淀纯度的因素 第八章 第四节 进行沉淀的条件 第五节 重量分析结果的计算 重点 1、掌握沉淀溶解度的计算; 2、理解影响沉淀溶解度的因数; 3、掌握影响沉淀纯度的因数及解决方法。 4、掌握沉淀的条件和共沉淀现象; 5、学会换算因数的计算。 第八章 沉淀重量分析法 重量分析法是通过称量物质的质量来确定被测组分含量的一种定量分析方法。 沉淀法—利用沉淀反应使被测组分以微溶化合物的形式沉淀下来,然后将沉淀过滤、洗涤并经烘干或灼烧后使之组成一定的称量形式,最后称其质量,并计算被测组分的含量。 二、分类 一、什么叫重量分析法 ? 沉淀法、汽化法、提取法、电解法 三、特点 准确度高,但手续繁琐、费时、难以测定微量组分。 重量分析的过程实质上包括了分离和称量两个过程。根据分离方式的不同,重量分析法分为: Ba2+ BaSO4 BaSO4 稍过量H2SO4溶液 过滤、洗涤、灼烧 BaSO4 Ba 233.37 137.32 mBaSO4
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