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山东舜亦新能源有限公司 IPQC制程检验作业培训指导书 品管部 一、范围 公司生产的所有156*156规格的多晶硅块。 二、定义 870*870*480mm坩埚铸出的多晶硅碇切方成156*156规格的多晶硅块定义为大锭硅块。 870*870*420mm坩埚铸出的多晶硅碇切方成156*156规格的多晶硅块定义为小锭硅块。 n-型半导体（n-type semiconductor）：多数载流子为电子的半导体。 p-型半导体（p-type semiconductor）：多数载流子为空穴的半导体。 少数载流子寿命（minority carrier lifetime）：晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到起始值的1/e（e =2.718）所需的时间。又称少数载流子寿命，体寿命。 三、职责 品质工程师负责本作业指导书的编制及修订，并负责检验员相应的作业指导及培训。 品质检验员严格依照本作业指导书所送多晶硅块进行检验，并依据检验结果填写相应的检验记录。 四、作业培训内容 IPQC检测室硅块检测流程图 硅块检验操作指导步骤外观检验 确认所送硅块的箭头标示是否清楚，每个硅块的随工单信息填写是否完整，且与硅块表面标识信息（硅锭号与硅块号）是否一致，以及确认边角料的数量。 标识 硅块编号与硅碇号后四位 标识 多晶硅碇随工单 外观检验 与硅片事业部送检人员共同确认每个硅块的外观质量状况，如有崩边、崩块等外观问题，使用游标卡尺测量缺陷的长度（沿硅碇的长晶方向测量），并把这些信息准确填写在品质记录上和对应的硅块随工单上。 缺陷长度测量图示 垂直度检验 抽样检测方法：大锭硅块按照如图抽样方案进行抽样检测硅块的垂直度。 垂直度测试 使用万能角度尺测量硅块四个侧面的垂直度，即相邻两侧面间的垂直度，每个抽样硅块测量任意三个角的垂直度，每个角从硅块头部到尾部至少均匀测量三次，并将检验数据记录于《硅块检测记录表》中。 垂直度测试图示 判定垂直度方法 将万能角度尺两臂紧贴硅块相邻侧面，若臂与硅块表面接触存在明显空隙，判定硅块为“S”型硅块，如图: 边宽检验 使用游标卡尺（精度：0.02mm）测量硅块的边宽尺寸，测量时用游标卡尺的量爪在硅块的两侧进行测量，每个面必须测量三次，使硅块的各部位边宽尺寸都能够测量到。 边宽尺寸测量图示 长度检验 使用直尺（精度：0.1mm）测量所有硅块的长度，选择硅块尾部至头部中的一棱边，使用直尺测量此棱边的长度，测量完后在所测量的棱边上做记号，并将检验数据记录于《硅块检测记录表》中。 长度测量图示 长度记号图示 导电类型检验 使用半导体导电类型测试仪抽检硅块的导电类型，即硅块的P/N类型，并把测试结果记录于《硅块检测记录表》中，在每个硅锭开方后的二十五块硅块中抽取5块进行检测。如果出现不合格，则对该硅锭开方出的所有硅块进行极性全检。 导电类型测试图示 电阻率检验 检验时需要对硅块的侧壁取3个点，由头部向底部测量。如果出现超出电阻率范围的情况，检测需要检测四个面，对超出范围部分划线切除，并在随工单上注明，跟踪切片后的电阻率检验情况。 电阻率测试图示 红外探伤检验 把硅块放在红外探伤测试台上，放置方向为底部朝下，头部朝上，如图： 确认内部缺陷 依照《IR红外探伤测试仪操作说明》进行检验，且硅块四个侧面都需要检测，主要分析硅块内部有无杂质、阴影、裂纹、微晶等缺陷。较黑的中部阴影大于10mm判定切除，切除后有效长度不足80mm，判定回炉。 缺陷处做标记 确认硅块内部存在缺陷后，观察内部缺陷在图像监控器上的位置，使用记号笔在硅块的表面做好标识，用记号笔在黑影阴影部分的上下边缘处画标识线，上下画线处要求离阴影部分2-3mm（备注：内部缺陷在距硅块头部或尾部25mm内，不需要画线）。 内部缺陷影像图示 标识图 缺陷图像保存和标明缺陷范围 将检验硅块存在的图像保存在测试仪内 完成该硅块四个侧面检验后，将硅块搬到工作台面上，依照标识线划线标识，缺陷长度超过25mm时，使用直尺把所有短线标识画长，并用直尺（精度：0.1mm）量出缺陷的长度，并填明原因，长度于硅块表面。 画标识线图示 量取缺陷长度图示 图像保存注意事项：所有硅块都必须清晰的保存在测试仪中 少子寿命检验 硅块