[物理]材料物理性能 磁2.ppt

铁氧体自身的优势kc 高电阻 低损耗 应用领域：无线电子、自动控制、电子计算机、信息存储、激光调整等。 特别适用于高频范围 涡旋损耗 例如，电饭煲控温功能。 本章内容 基本磁学性能 抗磁性与顺磁性 铁磁体与反铁磁性 技术磁化 磁畴 磁畴：未加磁场时铁磁体内部已 经到饱和状态的小区域。 特征：磁矩同方向。 磁畴壁：相邻磁畴的界限。 有的磁畴大而长，称为主畴， 其自发磁化方向沿晶体的易磁化方向； 小而短的磁畴叫副畴， 其磁化方向不一定是晶体的易磁化方向 分为两种：180°磁畴壁 90°磁畴壁 180° 90° 90° （a） （b） （c） 磁畴壁的种类 磁畴壁是一个过渡区，有一定厚度。磁畴的磁化方向在畴壁处不能突然转一个很大角度，而是经过畴壁的一定厚度逐步转过去的，即在这过渡区中原子磁矩是逐步改变方向的。 磁畴壁具有交换能、磁晶各向异性能及磁弹性能。 磁畴壁的厚度 W 0 N0 N ECr EK 磁畴壁越厚，则壁的交换能ECr 越低；但磁畴壁厚度的增加 也将会导致磁晶能EK 增加，使壁倾向变薄。 畴壁能的最小值所对应的壁厚N0为平衡状态时壁的厚度。 畴壁能=磁交换能+磁晶能 当铁磁晶体形成磁畴时，虽然降低了退磁场能，但增加了畴壁能。对大块晶粒来说，后者比前者要小很多，因此分畴在能量上是有利的。 为了最大限度地减小退磁能，磁畴必须形成三角畴的封闭结构，即呈封闭磁路，这样可使退磁能等于零。 磁畴的起因与结构 磁畴结构类型的不同是铁磁质磁性千差万别的原因之一。 以铁磁单晶体为例： 磁畴的形成是能量最小原则的必然结果，即形成磁畴是为了降低系统的能量。 磁畴结构受交换能、磁晶能、磁弹性能、畴壁能和退磁能的影响，平衡状态时的磁畴结构，应使这些能量之和为最小值。 技术磁化和磁滞回线 技术磁化的本质：外加磁场对磁畴的作用过程即外加磁场把各个磁畴的磁矩方向转到外磁场方向（和）或近似外磁场方向的过程。 使铁磁材料的宏观磁性表现出来。 技术磁化过程的描述：磁化曲线与磁滞回线。 1）铁磁材料的基本磁化曲线 磁化的三个阶段 在第 I 阶段，外磁场H 较小，磁感应强度B 和磁化强度M 随H 增大缓慢上升，B 与H 基本上是线性关系，磁化是可逆的。称为起始磁化阶段。 在这一阶段，与外磁场方向成锐角的磁畴能量低，磁畴扩大；而与外磁场成钝角的磁畴缩小。磁畴大小的变化通过磁畴壁的迁移实现。 在第 II 阶段：随H 增大，B 和M 都迅速增大，μ 增加很快，并出现最大值。这个阶段是不可逆的，去掉外磁场还保留部分磁化。 在第 III 阶段：随H 进一步增大，B 和M 逐渐变平缓, μ变小，并趋向于μ0。当磁场强度达到Hs 时达到磁饱和，这 时随着H 增大，M 基本不变。称为饱和磁化阶段。 在第二阶段磁畴壁随磁畴的增大而快速移动，称磁畴壁跳跃（巴克豪生跳跃）。与磁场夹角比较大的难磁化磁畴转向夹角较小的易磁化方向。当磁场增大到很大时，所有自旋磁矩通过磁畴壁的跳动来实现，转动到与磁畴成最小夹角的易磁化方向。 在这一阶段发生磁畴转动。磁畴由易磁化方向转动到与外磁场一致的方向。这时去除外磁场，磁畴由与外磁场一致的方向转动到易磁化方向。 2）技术磁化的两种机制 畴壁的迁移磁化（壁移磁化） 磁畴的旋转磁化（畴转磁化） Ms H θ Ms H 易轴方向 θ0 θ 壁移磁化 转动磁化 铁磁材料中夹杂物、第二相、空隙的数量及其分布； 内应力起伏的大小和分布，起伏愈大，分布愈不均匀，对峙壁迁移阻力愈大。为提高材料磁导率．就必须减少夹杂物的数量，减小内应力； 磁晶各向异性能的大小。因为壁移实质上是原子磁矩的转动，它必然要通过难磁化方向，故降低磁晶各向异性能也可提高磁导率； 磁致伸缩和磁弹性能也影响壁移过程，因为壁移也会引起材料某一方向的伸长，另一方向则要缩短，故要增加磁导率，应使材料具有较小的磁致伸缩和磁弹性能。 3）影响磁畴壁迁移的因素 * 物质的抗磁性不是由于电子的轨道磁矩和自旋磁矩产生的，而是由外磁场作用下电子循轨运动所产生的附加磁矩造成的，此磁矩与外磁场成正比，也是可逆的。 任何物质的电子都有循轨运动，因此任何物质都有抗磁性。 抗磁性和抗磁体是有区别的。有抗磁性但不一定是抗磁体。 抗磁性物质的抗磁性一般很微弱，磁化率χ一般约为-10-6，χ为负值。陶瓷材料的大多原于是抗磁性的。周期表中前18个元素主要表现为抗磁性。这些元素构成了陶瓷材料中，几乎所有的阴离子，如O2-,F-,Cl-,S2-,N3-，OH-等。在这些阴离子中，电子填满壳层，自旋磁矩平衡。 Weiss的分子场理论解释了自发磁化这一现象.它包括两个假说 铁磁材料铁、钴、镍及其合金、以及元素钆、镝以及铁氧体。这类