一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究!.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’) $ 5 $ ， ， ， ,B 3’) +B 3 $ .:YFA 5 （ ） !1$PM5M’) $ M !5)1% 46U4 V2W0X64 0X+X64 %5 6A; 3 VALE 3 0BF 3 一种 沟 电离辐射界面陷阱 ! #$% 电流传导性研究! ）） ） ） ） ） ! # $ ! 谭开洲 胡刚毅 杨谟华 徐世六 张正 ） $ ） ） 刘玉奎 何开全 钟 怡 !）（电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 %!’( ） ）（模拟集成电路国家重点实验室，重庆 (% ） $ ）（中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆 (% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ) % % ) ) ( 利用 射线对一种 沟 在不同的负载功率下进行了辐射试验，采用电流 电压（ ）测试方法发现这种 * + ,-./0 1 !1 2 1/ （氢氧合成）氧化栅介质,-./0 样品存在自退火效应时，新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一 致 根据所测数据，明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点，初 3 步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流，该电流不能简单地从 !1 曲线上定量分 辨出来3 关键词：界面陷阱，亚阈值电流， 射线辐射， * ,-./0 ： ， ， ， ’()) )$ )$4 %!56 )$(7 硅栅工艺，栅氧化层制备工艺为2 1/ 氢氧合成氧 !G 引 言 化，氧化温度为5’ H ，栅氧化层厚度为 # J ) 9， BI 辐射试验 射线管剂量率为 （ ），由