以常压热化学气相沉积法由乙炔成长奈米碳管之研究Synthesisof.PDFVIP

以常壓熱化學氣相沉積法由乙炔成長奈米碳管之研究 韓世澤 葉競榮 姚品全 大葉大學電機工程系 彰化縣大村鄉山腳路 112號 摘 要 本研究以溶膠—凝膠法（sol-gel method ）製備之鎳觸媒，旋轉塗佈於矽基板上，經線上還 原後，以常壓熱化學氣相沉積法（atmospheric thermal CVD ）由乙炔成長奈米碳管（carbon nanotubes, CNT ）。研究結果發現：1. 觸媒前處理時間、氣體流量、溫度、氣體種類、混合比 等製程參數，可用以控制 CNT 之直徑。前處理溫度為 800oC ，添加氫氣最適作用時間約10~20 分鐘；2. 沉積反應條件之掌控對 CNT 產物的形態至為關鍵。成長溫度為 800 oC ，此時成長速 率最快，CNT 在基板分佈密度最高；成長 CNT 時，添加氫氣有助於 CNT 管徑的控制，避免過 多的竹節與彎曲形態產物發生；碳源與氫氣（C H /H ）最適比例約為0.1 ，如欲以thermal CVD 2 2 2 系統達成奈米碳管的準直成長（aligned growth ），則必須更精確掌控金屬觸媒的分散狀態（顆 粒大小、分佈均勻性等）及控制 CNT 的成長速度。所成長之奈米碳管，以拉曼光譜分析，顯 -1 -1 示兩個峰值，分別是 1305 cm 與 1560 cm ，證明產物為多壁奈米碳管，含有多量的石墨態非 晶形沉積物。 關鍵詞：溶膠－凝膠法，觸媒，化學氣相沉積法，奈米碳管 Synthesis of Carbon Nanotubes over Sol-Gel Deposited Substrates from Acetylene by Thermal Chemical Vapor Deposition SHIH-TSE HANG, CHIN-YUNG YEH and PIN-CHUAN YAO Department of Electrical Engineering, DaYeh University No. 112, Shanjiao Rd., Dacun, Changhua, Taiwan 51591, R.O.C. ABSTRACT Nickel nanoparticles synthesized by a sol-gel process were spin-coated over silicon substrates as catalysts for the growth of a carbon nanotube (CNT) by atmospheric thermal chemical vapor deposition. The as-deposited Ni film exhibited relatively good activity for the growth of CNTs. On the basis of the results obtained, several characteristics of CNT growth were observed: I. Pretreatment stage: Parameters including the reduction