氮化镓MOS(HEMT)-上海泽兆电子科技有限公司.PDFVIP

氮化镓MOS (HEMT) 氮化镓MOSFET (600~650Vdc, 能承受周期为1uS, 100nS的连续的方波, 保证750~800V) 导通电阻 产品型号 封装 电压(V) 电流(A) 功率范围 Rdson(mΩ) TPH3245ED QFN5*6 600 6 500 150W TPH3202LD QFN8*8 600 9 290 40-500W TPH3202PS TO-220 600 9 290 40-500W TPH3206LD QFN8*8 600 17 150 500-1500W TPH3206PS TO-220 600 17 150 500-1500W TPH3208LD QFN8*8 650 21 110 1000～2500W TPH3208PS TO-220 650 21 110 1000～2500W TPH3212LD QFN8*8 650 28 72 1500~3000W TPH3212PS TO-220 650 28 72 1500~3000W TPH3205WS TO-247 650 36 52 2500~4500W TPH3207WS TO-247 650 47 35 2500~6000W TPD3215M 模块 600 70 30 4500W(半桥) 电源功率密度趋势-transphorm氮化镓MOS 电源的发展必然需要小体积高效率产 品，提高工作频率是必然趋式 功率密度上看GaN, SiC 占优势 传统硅材料在电源转换上应用发展几十年了，现已到达它的物理极限， 发展空间有限。 氮化镓材料最早是从LED及RF方面进行人们的视线，现在发展进入功率 器件应用领域。适合高频高压。 氮化镓GaN将提供高性能，低成本的方案。因氮化镓基于硅衬底，将来 8, 12英寸的晶元将大大降低使用成本。 Si, SiC, GaN三种不同材料半导体比较