模拟电子技术课件第三章.ppt

§3.1 半导体三极管 § 3.2 共射极放大电路 § 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 § 3.5 放大电路的工作点稳定问题 § 3.6 共集电极电路--射极输出器 § 3.7 放大电路的频率响应 产生频率失真的原因是: 1.放大电路中存在电抗性元件，例如 耦合电容、旁路电容、分布 电容、变压器、分布电感等; 3.7.1 RC电路的频率响应 RC低通电路 RC高通电路 RC低通电路 RC低通电路如图所示。 RC低通电路的近似频率特性曲线： 　幅频特性的X轴和Y轴都是采用对数坐标, 称为上限截止频率。当 时，幅频特性将以十倍频20dB的斜率下降，或写成-20dB/dec。在 处的误差最大，有－3dB。 RC高通电路 3.7.2 三极管的高频小信号模型 三极管高频小信号模型 电流放大系数β的频响 三极管高频小信号模型 混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理模型而建立的，三极管的物理结构如图所示。 根据物理模型可以画出型高频小信号模型 电流放大系数β的频响 从物理概念可以解释随着频率的增高,β将下降。因为 由此可求出共射接法交流短路电流放大系数。 由此可做出β的幅频特性和相频特性曲线， 三极管β的幅频特性和相频特性曲线  fT≈β0 f?可由下式推出 其电压放大倍数 为： 式中 RC高通电路如图所示。 下限截止频率、模和相角分别为 RC高通电路的近似频率特性曲线。 RC高通电路的频率特性曲线 rbe--- re归算到基极回路的电阻 ---发射结电容 ---集电结电阻 ---集电结电容 rbb ---基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点。 三极管物理模型 （1）物理模型 --- 发射结电阻 r e 三极管高频小信号模型电路 （2）用 代替 这一模型中用 代替 ，这是因为β本身就与频率有关，而gm与频率无关。推导如下: 三极管高频小信号模型电路 gm称为跨导，可写成 β0反映了三极管内部，对流经rbe的电流 的放大作用。 是真正具有电流放大作用的部分，β0 即低频时的β。而 在三极管小信号模型中，因存在Cb’c 和rb’c,对求解不便，可通过单向化处理加以变换。首先因rb’c很大，可以忽略，只剩下Cb’c 。可以用输入侧的C?’和输出侧的C?’’两个电容去分别代替Cb’c ，但要求变换前后应保证相关电流不变。 （3）单向化 高频混合π型小信号电路 输入侧 高频混合π型小信号电路 输出侧 所以 由于C?“ C?‘ , 所以原图可简化为下图，图中C? =Cbe+ C? 。 简化高频小信号电路 的等效电路 是指在 VCE一定的条件下, 在等效电路中可将 CE间交流短路。 RB1 +VCC RC C1 C2 RB2 CE RE RL vi vo B E C 静态工作点稳定且具有射极交流负反馈电阻的放大器 RB1=100k? RB2=33k? RE=2.5k? RC=5k? RL=5k? ?=60 VCC=15V RF RE CE RE=2.4k? RF=100? 静态工作点稳定且具有射极交流负反馈电阻的放大器 直流通道及静态工作点 +VCC RB1 RC RB2 RE IC IE IB VCE RF RE和RF共同起直流负反馈的作用，稳定静态工作点 因RE+RF=2.5k?，所以较上述电路静态工作点不变 静态工作点稳定且具有射极交流负反馈电阻的放大器 小信号等效电路及电压放大倍数 rbe RC RL RB1 RB2 B E C I1 I2 Ie RF RB1=100k? RB2=33k? RE=2.4k? RF=100? RC=5k? RL=5k? ?=60 VCC=15V Vi=Ibrbe+IeRF= Ibrbe +（1+ ? ）IbRF = Ib[rbe +（1+ ? ）RF] Vo=-Ic（RC//RL）=- ? Ib RL Vi=Ibrbe+IeRF= Ibrbe +（1+ ? ）IbRF = Ib[rbe +（1+ ? ）RF] Vo=-Ic（RC//RL）=- ? Ib RL Av= V