低温气相外延制pn结技术研究.pdfVIP

低温气相外延制p-n结 技术研究 黄海宾，崔冶青，高江，宁武涛，周浪 南昌大学太阳能光伏学院/材料学院 haibinhuang@ncu.edu.cn 内容简介 •晶硅太阳电池p-n结制备技术现状 •低温气相外延制p-n结技术简介 •低温气相外延制p-n结技术的合理性分析 •低温气相外延制结晶硅太阳电池的初步实验研究 •结论 晶硅太阳电池p-n结制备技术现状 现 状 优 点 缺 点 制备浅结时均匀性差， POCl 扩散制结 成熟，业内主流 工艺成熟，成本低 重复性差 3 POCl 危险性大 3 已有产线(Intevac 掺杂元素的分布精 价格高(目前？？) 公司、应用材料公 离子注入 确可控 设备稳定性有待提高 司) 转换效率高 (目前？？) 技术发展中 无毒，无污染， 磷酸喷涂+在线连 已有产线(BTU公司) 转换效率略低 均匀性好，自动化 续扩散炉系统 技术发展中？？ 链条金属污染硅片？ 程度高 均匀性好，掺杂元 发展中，实验室阶 素的分布精确可控 低温气相外延制结 尚未发现？？？ 段 可集成选择发射极、 局域背电场等技术 低温气相外延制p-n结技术简介 •低温气相外延+高温快速热处理 两步法 获得所需掺杂元素浓 改善晶格质量，减少界面缺陷 度分布的晶化硅薄膜 提高掺杂活性 低温气相外延制p-n结技术简介 •与POCl 扩散的工艺流程对比 3 清洗制绒等 沉积氮化硅等 POCl3 刻边 去磷硅 扩散 玻璃 清洗制绒等 沉积氮化硅等 低温气 快速热 刻边 相外延