[院校资料]集成电路制造技术 西交大 工程硕士 工艺集成.pptVIP

第10章 金属化与多层互连 微电子工艺 ----工艺集成与封装测试 第五单元 工艺集成与封装测试 第12章 工艺集成 第13章 工艺监控 第14章 封装与测试 第12章 工艺集成 12.1 金属化与多层互连 12.2 CMOS集成电路工艺 12.3 双极型集成电路工艺 12.1 金属化与多层互连 金属及金属性材料在芯片上的应用被称为金属化，形成的整个金属及金属性材料结构称金属化系统。 金属化材料可分为三类： 互连材料； 接触材料； MOSFET栅电极材料。 12.1 金属化与多层互连 互连材料指将同一芯片内的各个独立的元器件连接成为具有一定功能的电路模块；接触材料是指直接与半导体材料接触的材料，以及提供与外部相连的连接点；MOSFET栅电极材料是作为MOSFET器件的一个组成部分，对器件的性能起着重要作用。 12.1.1 欧姆接触 欧姆接触指金属与半导体的接触电阻值远小于半导体本身电阻。 金/半接触的电流密度： 肖特基势垒高度： 接触电阻： 低掺杂接触电阻： 高掺杂接触电阻： 当半导体的掺杂浓度 时，半导体表面势垒高度很小，载流子可以隧道方式穿过势垒，从而形成欧姆接触。 当金属功函数大于p型而小于n型硅的功函数时，金属与半导体接触可以形成理想的欧姆接触。但是，由于受金属/半导体界面的表面态的影响，在半导体表面会感