半导体器件物理课件一.pptVIP

? 非平衡载流子的产生和复合 载流子的漂移运动和扩散运动 当一块半导体中同时掺入P型杂质和N型杂质时，考虑室温下，杂质全部电离，以及杂质的补偿作用，载流子浓度为|ND-NA| 。 多子浓度计算 少子浓度计算 N型半导体 P型半导体 对于杂质浓度一定的半导体，随着温度的升高，载流子则是从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程。相应地，费米能级则从位于杂质能级附近逐渐移近到禁带中线处。 当温度一定时，费米能级的位置由杂质浓度所决定，例如N型半导体，随着施主浓度的增加，费米能级从禁带中线逐渐移向导带底方向。 对于P型半导体，随着受主杂质浓度的增加，费米能级从禁带中线逐渐移向价带顶附近。 杂质浓度与费米能级的关系 在杂质半导体中，费米能级的位置不但反映了半导体的导电类型，而且还反映了半导体的掺杂水平。 对于N型半导体，费米能级位于禁带中线以上，ND越大，费米能级位置越高。 对于P型半导体，费米能级位于禁带中线以下，NA越大，费米能级位置越低。如图1-15所示。 例 一硅晶掺入每立方厘米1016个砷原子，求室温下(300K)的载流子浓度与费米能级。室温时，硅的ni为9.65×109cm-3 ,Nc为2.86×109cm-3, kT为26meV。 解 在300K时，假设杂质原子完全电离，可得到 室温时，硅的ni为9.65×109cm-3 从本征费米能级算起的费米能级为 从导带底端算起的费米能级为 因为 练习 判断半导体的导电类型并计算载流子浓度 硅中掺入P 原子，浓度为1016cm-3； 锗中掺入B 原子，浓度为1017cm-3； 硅中先掺入P 原子，浓度为2*1016cm-3 ，再掺入B 原子，浓度为4* 1016cm-3 ; 锗中先掺入P 原子，浓度为2*1016cm-3 ，再掺入As原子，浓度为4* 1016cm-3 。 半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。 如果对半导体施加外加作用，破坏了热平衡状态的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。 用n0和p0分别表示平衡时的电子浓度和空穴浓度，它们的乘积满足 处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度将不再是n0和p0，可以比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，有时也称过剩载流子，用Δn 和Δp 分别表示非平衡电子和非平衡空穴。 4、非平衡载流子的产生与复合及准费米能级 例如在一定温度下，当没有光照时，一块半导体中的电子和空穴浓度分别为n0和p0，假设是N型半导体，则n0p0，当用适当波长的光照射该半导体时，只要光子的能量大于该半导体的禁带宽度，那么光子就能把价带电子激发到导带上去，产生电子-空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子Δn，价带比平衡时多出一部分空穴 Δp，且Δn=Δp 。 在一般情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多。对于N型半导体，Δn远小于n0，Δp远小于n0，满足这个条件的注入称为小注入。 例 1Ω·cm的N型硅中， n0≈5.5×1015cm-3，p0≈3.1×104cm-3， 若注入非平衡载流子Δn=Δp=1010cm-3， Δn远小于n0，是小注入，但是Δp几乎是p0的106倍，即Δp远大于p0。 说明 即使在小注入的情况下，非平衡少数载流子浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大得多，它的影响就显得十分重要了，而相对来说非平衡多数载流子的影响可以忽略。所以实际上往往是非平衡少数载流子起着重要作用，因此通常说的非平衡载流子都是指非平衡少数载流子。 实验证明 注入的非平衡载流子并不能一直存在下去，光照停止后，它们会逐渐消失，也就是原来激发到导带的电子又回到价带，电子和空穴又成对地消失了。最后载流子浓度恢复到平衡时的值，半导体又回到了平衡状态。 结论 产生非平衡载流子的外部作用撤除后，由于半导体的内部作用，使它由非平衡状态恢复到平衡状态，过剩载流子逐渐消失。 非平衡载流子的复合 6、非平衡载流子的寿命与复合理论 非平衡载流子的寿命 实验表明 对于N型半导体，光照停止后，Δp随时间按指数规律减少。这说明非平衡载流子并不是立刻全部消失，而是有一个过程，即它们在导带和价带中有一定的生存时间，有的长些，有的短些。 非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命，用τ表示。 相对于非平衡多数载流子而言，非平衡少数载流子的影响处于主导的、决定的地位，因而非平衡载流子的寿命通常指少数载流子的寿命。 当t=τ，则Δp(t)=(Δp)0/e。 寿命标志着