第18讲6-3电介质物理III固体电介质的电导和击穿.pptVIP

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第18讲6-3电介质物理III固体电介质的电导和击穿

6.6.1 固体电介质的电导 1. 概述 固体电介质的漏导电流I包含了两个组成部分:流过电介质体内的电流Iv和沿着电介质表面流动的电流Is,并有I=Iv+Is   在一定的电压范围内,电介质的漏导电流与所加的电压成正比,符合欧姆定律 在恒定电压的作用下,流过固体电介质的电流是时间的函数。在一般情况下,有以下几种电流需要考虑: 电导的分类(按载流子) ① 离子电导或电解电导 2. 离子电导 2. 离子电导 (2)导电离子的迁移率 3. 电子电导 电介质可以看成是一种宽禁带的半导体,禁带宽度大于3~5eV。 (1)电子电导的载流子 (2)电子的迁移率 (3)电子电导 电子电导的另一个重要特点是电流传导的非线性关系。大部分电介质的离子电导是线性的,传导电流正经于所加的电压,符合欧姆定律。但是对电子电导而言,由于普尔-弗兰克尔效应和肖特基效应,在不十分高的电场下,参与电流传导的载流电子数与所加的电场有关。这就使得电流随电压的增加比欧姆定律所预期的来得快。这时电导率r是电场的函数,并且电场越高,r越大。在很强的电场下,隧道注入开始起作用。在强电场下,电介质内部还可能会发生中性分子的电离。这就使得电流随着电压很快上升,以致丧失绝缘能力。 4. 表面电导 二、 固体电介质的击穿 1. 概述 固体电介质击穿的特点 2、电击穿 一些因素对固体电介质击穿场强的影响 3、热击穿 4、局部放电击穿 5、其它击穿机制 固体电介质的击穿就是在电场作用下伴随着热、化学、力等等的作用而丧失其绝缘性能的现象 一、固体介质的击穿强度比气体和液体介质高 二、固体通常总是在气体或液体环境媒质中 边缘效应 三、固体仙质的击穿一般是破坏性的,击穿后在试样中留下贯穿的孔道、裂纹等不可恢复的伤痕 对固体进行击穿试验时,击穿往往发生在击穿强度比较低的气体或液体环境媒质中 当固体电介质承受的电压超过一定的数值VB时,就使其中相当大的电流通过,使介质丧失绝缘性能,这个过程就是电击穿 EB=VB/d 击穿场强 EB被认为是介质承受电场作用能力的一种量度,是材料介电特性之一。 碰撞电离理论 在碰撞电离理论中,碰撞机制一般应考虑电子和声子的碰撞,同时也应该计及杂质和缺陷对自由电子的散射。若外加电场足够高,当自由电子在电场中获得的能量超过失去的能量时,自由电子便可在每次碰撞后积累起能量,最后发生电击穿。 雪崩理论 雪崩理论是在电场足够高时,自由电子从电场中获得的能量在每次碰撞后都能产生一个自由电子。因此往n次碰撞后就有2n个自由电子,形成雪崩或倍增效应。这些电子一方面向阳极迁移,一方面扩散,因而形成一个圆柱形空间,当雪崩或倍增效应贯穿两电极时,则出现击穿。 隧道击穿 当外电场足够高时,由于量子力学的隧道效应,禁带电子就可能进入导带。在强场作用下,自由电子被加速,引起电子碰撞电离。这种电子雪崩过程同样引起很大的电流,但这并不导致晶体的破坏。导致晶体击穿的原因是由于隧道电流的增加,晶体局部温度提高,致使晶体局部熔融而破坏。这个机理首先由齐纳提出的,因此称为齐纳击穿 ① 固体介质的击穿场强往往取决于材料的均匀性; ② 大部分材料在交变电场下的击穿场强低于直流下的击穿场强。在高频下由于局部放电的加剧,使得击穿场强下降得更历害,并且材料的介电常数越大,击穿场强下降得越多; ③ 无机电介质在高频下的击穿往往具有热的特征,发生纯粹电击穿的情况并不多见; ④ 在室温附近,高分子电介的击穿场强往往比陶瓷等无机材料要大,并且极大性高聚物的击穿场强常常要比非极性的大; ⑤ 在软化温度附近,热塑性高聚物的击穿场强急剧下降 当固体电介质在电场作用下,由电导和介质损耗的产生的热量超过试样通过传导、对流和辐射所能散发的热量时,试样中的热平衡就被破坏,试样温度不断上升,最终造成介质永久性的热破坏,这就是热击穿 图6.13在电压作用下固体电介质的发热与散热曲线 固体电介质的热击穿判据 当发热曲线W1与散热直线W2相切时,切点C应满足以下条件: 局部放电就是在电场作用下,在电介质局部区域中所发生的放电现象,这种放电没有电极之间形成贯穿的通道,整个试样并没有被击穿 局部放电是脉冲性的,其过程与电晕放电相同。放电结果产生大量的正、负离子,形成空间电荷,建立反电场,使气隙中的总电场下降,放电熄灭 局部放电将导致介质的击穿和老化 (1)树枝化击穿 (2)电一机构击穿 (3)沿面放电 沿固体电介质表面发生的气体击穿现象 树枝化是指在电场作用下,在固体电介质中形成的一种树枝装气化痕迹,树枝是指介质中直径以数微米的充满气体的微细管子组成的通道 图

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