第2章 TMS320X281X的结构、资源及性能.ppt

* BGA焊接费200 第2章 TMS320X281X的结构、资源及性能 《手把手教你学DSP——基于TMS320X281X》 《手把手教你学DSP——基于TMS320X281X》 TMS320X2812 32位定点DSP芯片 目前性价比最高的 强大的数字信号处理能力，较为完善的事件管理能力和嵌入式控制功能 广泛应用于工业控制 处理速度、处理精度要求较高 大批量数据处理的测控场合 片内资源 哈佛结构vs冯-诺依曼结构（图2-1） 表2-1 硬件特点 TMS320C2812—128Kx16 ROM TMS320F2812—128Kx16 FLASH 硬件特点 TMS320F2812 TMS320C2812 指令周期（150MHz） 6.67ns 6.67ns 内核电压为多少V，时钟频率达到150M 1.9V 1.9V 输入输出口电压 3.3V 3.3V 片内RAM 18K×16 18K×16 片内FLASH 128K×16 无 片内ROM 无 128K×16 Boot ROM 有 有 掩膜ROM 有 有 片内FLASH/ROM/SRAM的密码保护 有 有 外部存储器接口 有 有 看门狗定时器 有 有 32位的CPU定时器 有 有 事件管理器 EVA、EVB EVA、EVB 12位的ADC 16通道 16通道 串行通信接口SCI SCIA、SCIB SCIA、SCIB 串行外围接口SPI 有 有 局域网控制器CAN通信 有 有 多通道缓冲串行接口McBSP 有 有 复用的数字输入输出引脚 56个 56个 外部中断源 3个 3个 封装 179针的BGA 176针的LQFP 179针的BGA 176针的LQFP 工作温度范围 A：-40℃~+85℃ S：-40℃~+125℃ A：-40℃~+85℃ S：-40℃~+125℃ 2.1 TMS320X281X的性能 1. TMS320X2812芯片采用了高性能的CMOS技术： CPU主频高达150MHz，时钟周期为6.67ns。 采用低功耗设计，当内核电压为1.8V时，主频为135MHz，当内核电压为1.9V时，主频为150MHz，I/O口引脚电压为3.3V。 FLASH编程电压为3.3V。 2.1 TMS320X281X的性能 2. 支持JTAG在线仿真接口。 3. 高性能的32位中央处理器(TMS320C28x)： 一个周期内能够完成32位×32位的乘法累加运算。 一个周期内能够完成2个16位×16位的乘法累加运算。 采用哈佛总线结构模式。 具有快速的中断响应和中断处理能力。 具有统一的寄存器编程模式。 编程可兼容C/C++语言以及汇编语言。 2.1 TMS320X281X的性能 4. 芯片内的的存储空间 TMS320F2812片内含有128K×16位的FLASH，分为4个8K×16位和6个16K×16位的存储段，而TMS320C2812片内含有128K×16位的ROM。 具有1K×16位的OTP ROM空间。 H0：一块8K×16位的随机存储器(SARAM)。 L0和L1：两块4K×16位的随机存储器(SARAM)。 M0和M1：两块1K×16位的随机存储器(SARAM)。 2.1 TMS320X281X的性能 5. Boot ROM空间 空间大小为4K×16位。 内含软件启动模式。 内含标准的数学函数库。 6. 外部存储器接口 有多大1M×16位的总存储空间。 3个独立的片选信号。 可编程的等待时间。 可编程的读写时序。 7. 时钟和系统控制 内含看门狗定时器模块。 具有片内振荡器。 支持动态锁相环倍频。 2.1 TMS320X281X的性能 8. 3个外部中断 9. 外部中断模块PIE可支持96个外部中断，当前仅使用了45个外部中断。 10. 3个32位的CPU定时器。 11. 128位安全密钥 可以保护FLASH/ROM、OTP ROM和L0、L1 SARAM。 防止系统中的软件程序被修改或读取。 12. 先进的仿真模式 具有实时分析以及设置断点的功能。 支持硬件仿真。 2.1 TMS320X281X的性能 13. 开发工具 TI公司DSP集成开发环境(Code Composer Studio，CCS)。 JTAG仿真器，目前主要型号有XDS510仿真器和XDS560仿真器，对于仿真TMS320X2812，使用XDS510仿真器已经足够。 14. 低功耗模式和节能模式 支持IDLE、STASNDBY、HALT模式，即支持空闲模式、等待模式以及挂起模式。 可独立禁止/使能各个外设的时钟。 2.1 TMS320X281X的性能 15. 可选的芯片封装 179引脚的BGA封装，带有外部存储器接口 176引脚的LQFP封装，带有外部存储器接口 由于BGA封