计算机硬件基础第4章(存储器).ppt

第4章 内部存储器——目录 4.1 存储系统概述 4.2 内部存储器的作用及其分类 内存的分类、作用、和主要技术指标 4.3 半导体存储器的组成及工作原理 SRAM、DRAM、和各种ROM的原理和组成 4.4 RAM的基本工作方式 4.5 内存模组与基本结构 逻辑Bank与芯片容量表示方法 内存条（模组）的结构及工作原理 4.6 主流内存条介绍 FPM DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDR、DDR2、DDR3 几种常见内存接口类型及性能比较 4.7 内存相关技术 双通道内存技术 参数及优化 技术规范及标注格式 4.1 存储系统概述——存储体系 存储系统——是计算机的重要组成部分,用来存储计算机工作需要的信息（程序和数据）的部件，构成计算机的信息记忆功能。 4.2 内部存储器的作用及分类——作用 4.2 内部存储器的作用及分类——分类 4.2 内部存储器的作用及分类——内存的主要技术指标 存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。以字节(B:Byte)为单位。 1KB = 210 = 1024B  1MB = 220 = 1024KB = 1,048,576B 1GB = 230 = 1024MB = 1,048,576KB = 1,073,741,824B 速度：读取时间=从发出读出命令到信息稳定在存储器输出端的时间，一般单位为ns(纳秒，10-9秒)。DRAM芯片一般为几十ns，SRAM芯片为几ns。其他速度包括写入速度（一般与读取速度差别不大）、擦除速度等。 突发访问支持：向存储器发出一次地址，可以连续读/写多个字节。目前由DRAM芯片构成的内存条（模块）突发传送模式下读写速度可以达到几个ns。 4.2 内部存储器的作用及分类——内存的主要技术指标 带宽：(存储器位数/8)×读取速度峰值，单位为MB/s。 错误校验：内存在读写过程中检测和纠正错误的能力，常用的错误校验方式有Parity、ECC。 奇偶校验(Parity)：一般每个字节增加一位，用于奇校验或偶校验。只有检错能力。 ECC(Error Checking and Correcting)：一般每64位增加8位。具有数据检错和纠错能力，ECC可以纠正存储器访问的绝大多数错误。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——SRAM SRAM芯片：内部由存储矩阵、地址译码器、存储控制逻辑和双向缓冲器组成。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM DRAM的位存储电路：为MOS管+电容器动态存储电路，其记忆信息的机理是依靠电容器C存储电荷的状态，电容器C有电荷时，为逻辑“1”，没有电荷时，为逻辑“0”。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM 只读存储器ROM：信息只能读取，也不会在掉电时丢失。 ROM器件的特点： 只读，写入需要特殊操作； 结构简单，所以位密度高； 非易失，可靠性高； 读取速度慢。 ROM的技术发展过程： 掩膜ROM → PROM → EPROM → EEPROM → Flash Memory 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM 1. 掩膜ROM——由芯片制造厂利用掩膜技术写入程序的，掩膜ROM制成后，不能修改。 2. PROM——一次可编程ROM。只能有一次写入的机会，存储器使用熔断丝，熔断丝原始状态导通(1)，将熔断丝烧断编程为0。 3. EPROM——紫外线可擦除可编程ROM。通过紫外线照射可以将信息全部擦除(全部为1)。EPROM可重复编程。 4. EEPROM——电可擦除可编程ROM。可通过电信号全部或部分擦除，能完成在线编程。通过程序方式可实现读写。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM Flash Memory——闪烁存储器属于EEPROM的改进产品。新一带的非易失存储器。特点： 采用单管结构（EEPROM为双管结构），集成度高； 内部为分块/分页结构（一般1页512B~几KB，1块由多个页组成），页是写入单位（整页写入）。块是擦除单位，写入之前必须整块擦除； 读取速度慢，随机读取时间10μs以上，连续读取时间几十ns； 数据保存时间10年，数据重写次数105～106次 与其他方式的非易失只读存储器相比，成本低廉。 目前被广泛用于移动存储器（U盘）和存储卡。在PC机中取代原来的PROM/EEPROM，用来保存BIOS程序。 从发展趋势看，可能逐步取代磁性存储器。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM Flash Memory——闪烁存储器应用 4.5 内存模组的基本构造 内存模组(内存条)——由多块DRAM芯片组成，如早期的4MX8的模组，