HT8 MCU 内置超低功耗 RTC 应用须知.PDFVIP

HT8 MCU 内置超低功耗RTC 应用须知 HT8 MCU 内置超低功耗RTC 应用须知 文件编码：AN0482S 简介 Holtek HT66F25x0/HT67F25xx/HT69F25xx 系列Flash MCU 内建超低功耗RTC 振荡器，全系 列于工作电压3V 时的RTC On 待机功耗可低于200nA，可满足节能省电之应用需求，延长电 池寿命。而 MCU 内建的 RTC 振荡器可节省外部 Timepiece IC 成本以及精简线路图， HT66F25x0 系列更提供万年历电路，使应用于时间计数更为便利。本文介绍Holtek MCU 内 建超低功耗RTC 振荡器的特性与应用须知，希望能给开发者在设计超低功耗产品时帮助。 功能说明 振荡器 以HT69F2562 为例，提供3 个振荡频率源，分别为HIRC 、LIRC 与LXT 振荡器，开发者 可由程序选择系统频率(fSYS)来源。其中 LIRC 为上电时的时钟源，用于系统设置使用。而 LXT 振荡器可提供32768Hz 频率给MCU 各功能使用，较为常见的应用为RTC 实时时钟计 数。MCU 可通过程序配置进入IDLE2 或SLEEP 省电模式，进而完成不同待机功耗之功能。 相应寄存器描述请参考Data Sheet 振荡器章节。 时钟频率方框图如下: AN0482S V1.00 1 / 5 February 7, 2018 HT8 MCU 内置超低功耗RTC 应用须知 LXT 振荡器可提供fSUB、fLXT 、fLXT/8 与fLCDP 等频率路径，fLXT/8 可提供WDT 与Time Base 作为时钟源，可达成最低功耗配置，于操作电压3V 时的待机功耗可低于200nA 。 LXT 振荡器 LXT 振荡电路由外部石英32768Hz 晶振与外部电阻电容组成。由XT1 与XT2 脚位提供外 接32768Hz 晶振，电容C1/C2 进行精准度调整，开发者可参考晶振规格书进行配置电容数 值，并测试振荡频率。LXTEN 位于上电时即为Enable ，开发者可通过LXTF 位判断是否起 振完成，开启相关32768Hz 时钟源之操作，LXT 振荡电路图如下： Time Base 控制寄存器 实时时钟功能，可选用Time Base 0 或Time Base 1 配置相应之计时中断TB0E 或TB1E 中 断控制位，搭配RAM 达到计数时间功能。而Time Base 0~1 的时钟来源fPSC 由LXT 振荡 器频率fLXT/8 提供，Time Base 0~1 频率除级可由寄存器配置fPSC/211~ fPSC/218 。相关寄存器 与TB0E、TB1E 中断地址请参考Data Sheet 。 HT66F25x0 系列具有万年历电路，提供开发者计数时间之便利性，请参考Data Sheet 相关 寄存器配置。 AN0482S V1.00 2 / 5 February 7, 2018 HT8 MCU 内置超低功耗RTC 应用须知 内置RTC 的特性 LXT 振荡器工作电压可于 1.8V~5.5V 振荡，全系列需搭配指定 C =7pF 以下的晶振，才可