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* 5.制定Hfe条件A阶段工作 D M I C A 目的：为不同范围的HFE值制定合理的推HFE工艺条件 * 5.制定Hfe条件A阶段工作 D M I C A 从三组试验的数据的概率图来看，三组数据都服从正态分布。 * 5.制定Hfe条件A阶段工作 D M I C A A程序1050℃ 40min工艺条件HFE增长值过程能力分析： （60个样本） 平均值=1.22 标准差=0.24 增长上限： 平均值+3*标准差=1.95 * 5.制定Hfe条件A阶段工作 D M I C A A程序1050℃ 40min工艺条件HFE增长值过程能力分析： （60个样本） 平均值=2.04 标准差=0.26 增长上限： 平均值+3*标准差=2.82 * 5.制定Hfe条件A阶段工作 D M I C A A程序1050℃ 40min工艺条件HFE增长值过程能力分析： （60个样本） 平均值=2.93 标准差=0.42 增长上限： 平均值+3*标准差=4.17 * 5.制定Hfe条件I阶段工作 由以上实验数据(每种工艺条件60个样本): 首先, 为避免推HFE偏大造成报废,对A程序1050℃ 40min工艺,则计算: 最大增长=平均值+3X标准差=1.95(设总体标准差等于样本标准差) 而各型号M29次控制范围为2倍空间,因此对于小于下限的芯片,用A程序1050℃ 40min工艺推HFE不会造成偏大报废. 同样计算得: A程序1050℃ 75min工艺条件只能用于小于下限0.82倍以上的芯片 B程序1158℃ 1min工艺条件只能用于小于下限2.17倍以上的芯片 为避免推HFE过大造成报废，各工艺适用的HFE范围： 工艺程序 A程序1050℃ 40min A程序1050℃ 75min B程序1158℃ 1min 适用HFE范围 小于控制下限 小于控制下限0.82倍或更多 小于控制下限2.17倍或更多 D M A C I * 5.制定Hfe条件I阶段工作 其次,考虑中心值分布,对于A程序1050℃ 40min工艺,则计算: 最适合使用此工艺的HFE=(HFE控制范围下限+1)-1.22= HFE控制范围下限-0.22 同样,最适合A程序1050℃ 75min工艺条件的HFE= HFE控制范围下限-1.04 最适合A程序1050℃ 75min工艺条件的HFE= HFE控制范围下限-1.93 综合以上两条,对推HFE工艺条件的使用规定如下: 测试HFE小于HFE控制范围下限0-1倍的,使用A程序1050℃ 40min工艺条件 测试HFE小于HFE控制范围下限1-2倍的,使用A程序1050℃ 75min工艺条件 测试HFE小于HFE控制范围下限2倍以上的,使用B程序1158℃ 1min工艺条件 规定不同范围HFE对应使用的推HFE工艺条件： 工艺程序 A程序1050℃ 40min A程序1050℃ 75min B程序1158℃ 1min 适用HFE范围 小于控制下限0-1倍 小于控制下限1-2倍 小于控制下限2倍以上 D M A C I