钨铜电子封装材料制备工艺の研究.pdf

摘 要 本文采用高压成形低温烧结和真空熔渗的粉末冶金工艺制备了用 于微电子领域的钨铜电子封装材料，通过粉末的高温预处理改善其承 压性能，获得了高密度的钨生坯。讨论了制备工艺对钨生坯性能的影 响，也讨论铜含量、铜相纯度等工艺参数对该材料性能的影响，7结果 表明： 1．采用高温预处理普通工业钨粉可获得高密度的钨生坯，在压力 2．钨铜电子封装材料的热膨胀系数、导热系数都随铜含量增加而 增加，导热系数还随铜相的纯度增加而增加。 3．采取此工艺最终可获得相对密度达99％以上的钨铜电子封装 _j5：}料，} 关键词：粉末冶金 电子封装材料钨铜 性能。■ ABSTRACT The used[or composite tungsten——copper has made materialsbeen techology packaging bypowdermeatllurgy andlow and pressureforming temperaturesintering usinghigh vacuuminfiltration．The ofthe powder formingpropertiestungsten havebeen heat——treatmentandthe improvedbyhightemperature effectonthe of canbeohtained．The properties density highgreen the fromfabrication and whichresulte tecnology compacts tungsten whichresultefrom content、the composite copper tungsten--copper of are inthis resultsshow puritycopperinvestigatedpaper．The that。 availabletoobtainthe of by 1．It’S greendensitytungsten high with thenormalindustrial treatedhigh powder pressing