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* 3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性 概 述 Outline 晶体二极管结构及电路符号： PN 结正偏(P 接 +、N 接 -)，D 导通。 P N 正极 负极 主要特性：单向导电性 PN 结反偏(N 接 +、P 接 -)，D 截止。 主要用途：整流、开关、检波电路 本章要解决两个问题 1、二极管为什么具有单向导电性 2、怎样分析二极管的应用电路 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.1.1 半导体材料 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 半导体的基本特性： 光敏特性 热敏特性 掺杂特性 硅(Si)、锗(Ge)原子结构及简化模型： +14 2 8 4 +32 2 8 4 18 +4 价电子 惯性核 3.1.2 半导体的共价键结构 共价键：相邻原子共用一对价电子,它们之间的束缚力。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 完全纯净、结构完整的半导体 当 T = 0 K时，半导体不导电,相当于绝缘体 3.1.3 本征半导体 当T 升高或光线照射时，共价键中的价电子从外界获得能量挣脱共价键的束缚成为自由电子的过程。 本征激发 空穴运动：价电子连续填补运动 自由电子 — 带负电 半导体中有两种载流子 空 穴 — 带正电 注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。 两者成对出现，半导体显电中性 载流子：能够移动的带电粒子 温度一定时： 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。 本征半导体中 本征激发——产生自由电子空穴对。 电子和空穴相遇释放能量——复合。 T 导电能力 ni 或光照 热敏特性 光敏特性 N型半导体： +4 +4 +5 +4 +4 简化模型： N型半导体 多子——自由电子 少子——空穴 本征半导体中掺入少量五价元素构成。 施主离子 3.1.4 杂质半导体 P 型半导体 +4 +4 +3 +4 +4 简化模型： P 型半导体 少子——自由电子 多子——空穴 本征半导体中掺入少量三价元素构成。 受主离子 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.45×1010/cm3 2 本征硅的原子浓度: 5×1022/cm3 1 3 掺杂后N型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 少子浓度取决于温度 多子浓度取决于掺杂浓度 结论 本征半导体、杂质半导体 本节中的有关概念 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子 施主杂质、受主杂质 半导体三个基本特性 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移与漂移电流 　　载流子在电场作用下的运动称漂移运动，所形成的电流称漂移电流。 　　载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。 3.2.1 载流子的漂移与扩散 扩散与扩散电流 掺杂 N 型 P 型 PN 结 3.2.2 PN结的形成 阻止多子扩散 出现内建电场 开始因浓度差 产生空间电荷区 引起多子扩散 利于少子漂移 最终达动态平衡 耗尽区\阻挡层 3.2.3 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 低电阻 大的正向扩散电流 P+ N 内建电场 E l0 + - V I PN 结正偏 阻挡层变薄 内建电场减弱 多子扩散 少子漂移 多子扩散形成较大的正向电流 I PN 结导通 P+ N 内建电场 E l0 - + V PN 结反偏 阻挡层变宽 内建电场增强 少子漂移多子扩散 少子漂移形成微小的反向电流 IR PN 结截止 IR 3、IR与 温度、材料有关。 结论：1、PN 结具有单方向导电特性。 2、IR 与 V 近似无关---反向饱和电流IS 。 高电阻 很小的反向漂移电流 PN 结——伏安特性 热电压 ? 26 mV(室温