[工学]第3章：X射线的产生及X射线的性质.pptVIP

第3章：X射线的产生及X射线的性质 典型的X射线谱 （含连续谱和特征谱） 几种常用阳极靶材料的特征谱参数 (1) 阳极材料已知时 电子束轰击可以得到已知波长的特征X射线—----用于X射线衍射分析的光源。 如，Cu阳极 (Cu靶)，得到 Cu： λKα1 ＝1.5405? λKα2 ＝1.5443? λKβ ＝1.3921? (2) 阳极材料未知时 阳极换成未知样品，则样品中含有那种元素，即可得到那种元素的特征X射线波长，若含多种元素，则得到各该种元素的特征X射线波长。 如果能测定出样品产生的X射线波长(或能量)，则可以鉴定出样品中的元素种类(及含量)---- EPMA,EDX(Elctron probe microscopic analyzer, Energy dispersive X ray analysis)。 四. X射线与物质的相互作用 MgKα激发Ag得到的光电子谱 XPS进行成分测定的特点： . 样品最表面元素种类(及含量)的测定(信息深度10层原子)。较深部位元素产生的光电子很难逸出样品表面。 . 元素的不同状态，其光电子的能量会有差异(化学位移)，因此可测定元素的不同状态---价态、配位形式等。 例如Si的2p电子结合能： 单质硅中：99.6eV SiO2中： 103.4eV 有机化合物化学位移举例 俄歇电子的能量： EKLL=EK-EL-EL 各种元素的俄歇电子能量 平均俄歇电子产额随原子序数的变化 X荧光产额ω与俄歇电子产额α之间满足 α+ω=1 一般地，较轻的元素，产生俄歇电子的几率较大，而较重的元素则产生X荧光的几率较大。 14号以前的元素，采用KLL俄歇电子 14-42：LMM俄歇电子 42号以后的元素：MNN或MNO俄歇电子 一般来说，俄歇电子谱仪对轻元素的分析更为有效。 也是一种针对样品最表面的元素进行分析。 1例Cr-Mo-V合金的俄歇电子图谱 (括号内为电子能量eV) 作业 (1) 相干散射： 当入射光子碰撞电子后，若电子能牢固地保持在原来位置上，则光子将产生刚性碰撞，其作用效果是辐射出电磁波--散射波。 这种散射波的波长和频率与入射波完全相同，新的散射波之间将有可能发生相互干涉--相干散射----XRD(X ray diffraction)。 （2）非相干散射 (a) 光电子 当入射X光子的能量足够大时，入射电子可以将原子的内层电子击出使其成为光电子。 入射X射线 光电子 若入射X射线的波长是单色(能量已知)，则被击打出的光电子的能量?为： ? ＝ ?入射线的能量－ ?电子在原子核外所具有的能量 由于不同元素的核外电子具有不同的能量，因此，如能测定该光电子的能量，则可确定被照射物质的化学成分----XPS原理(X ray Photo-lectronic Spectroscopy)。 对光源的要求：固定的已知能量，常采用单色X射线。(X射线不容易聚焦，因此样品分析时空间分辨率低) Auger (b) X荧光 光电效应发生后，原子的内层电子缺失，成激发状态， 激发态 ? 稳定态 和前面讲述的X射线产生的原理一样，将产生X射线，称之为二次X射线－－荧光辐射。 该X射线的波长，完全取决与物质中的原子类型，而入射线可为单色，也可为白色。 若测定该二次射线的波长，即可得到物质的化学组成----XRF原理(X-Ray Fluorescence spectrometer )。 （c）俄歇效应 如果原子K层电子被击出，L层电子向K层跃迁，其能量差不是以产生K系X射线光量子的形式释放，而是被邻近电子所吸收，使这个电子受激发而逸出原子成为自由电子-----俄歇电子。这种现象叫做俄歇效应----AES原理(Auger Electron Spectrometry)。 KLL Auger E=EK-EL-EL 被电离的电子 跃迁的电子 变成Auger电子的电子 俄歇电子的能量只取决于原子本身，而与激发光源无关，因此一般的俄歇电子谱仪采用电子束作为光源(电子束能量高，且容易聚焦，因此空间分辨率高)。 (3) 物质对X射线的吸收 光电效应，俄歇效应以及热效应所消耗的那部分入射X射线能量称为物质对X射线的真吸收。 因此当X射线穿过物质时，X射线的能量将被衰减。 物质对于X射线的总体吸收用吸收系数来描述： μ/ρ= K λ3 Z3