05讲 三极管2017okPPT.ppt

1 第二章 放大器的基本原理 2 第二节 晶体三极管 重点 难点 3 一、半导体三极管的结构 N型硅 N+ P型硅 （a） 平面型 4 NPN 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 N N+ 集电极C 基极B 发射极E 三极管的结构、分类和符号 P 5 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 C B E N 集电极C 发射极E 基极B N P P+ N PNP型三极管 7 IC N P N 三极管的电流控制原理 VCC RC VBB RB C B E 8 电流关系： IE = IB + IC IC = IB 直流电流放大系数 三极管具有电流控制作用，也称之为电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 9 EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: 公 共 端 EB RB IB IE UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 三极管具有电流控制作用的外部条件 : 10 EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于PNP型三极管应满足: 公 共 端 EB RB IB IE 即 VC VB VE UBC 0 UBE 0 第2章 2.2 三极管具有电流控制作用的外部条件 : 11 三、三极管的特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： (1)直观地分析管子的工作状态，工作点是否合适。 (2)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 12 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 13 1. 输入特性 特点:非线性 晶体管的 输入特性曲线 死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE  0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE  0.2 ~  0.3V 14 2. 输出特性 共发射极电路 3DG100晶体管的输出特性曲线 在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管 的输出特性曲线是一组曲线。 15 IB =40µA IB =60µA IB = 20µA 三极管的输出特性 16 晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分为三个工作区。 晶体管的输出特性曲线 在放大区 IC =  IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 对 NPN 型管而言, 应使 UBE 0, UBC 0，此时， UCE UBE。 (1) 放大区 17 IC/mA UCE/V 100 µA 80µA 60 µA 40 µA 20 µA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 (2) 截止区 对NPN型硅管，当 UBE0.5V时, 即已 开始截止, 为使晶体 管可靠截止 , 常使 UBE 0。截止时, 集 电结也处于反向偏 置(UBC 0),此时, IC 0, UCE UCC 。 IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。 IB = 0 时, IC = ICEO(很小)。(ICEO0.001mA) 截止区 18 IC/mA UCE/V 100 µA 80µA 60 µA 40 µA 20 µA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 (3) 饱和区 在饱和区，IB IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES  0.3V， 锗管UCES  0.1V。 IC  UCC/RC 。 当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)， 晶体管工作于饱和状态。 饱和区 19 当晶体管饱和时， UCE  0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小； 当晶体管截止时，IC  0 ，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。 20 1. 电流放大系数 (1) 直流电流放大系数 (2