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第二章MOS器件物理基础 MOSFET的结构 MOSFET的结构 MOS管正常工作的基本条件 同一衬底上的NMOS和PMOS器件 例：判断制造下列电路的衬底类型 NMOS器件的阈值电压VTH NMOS管VGSVT、VDS=0时的示意图 NMOS管VGSVT、 0VDS VGS-VT时的示意图 NMOS沟道电势示意图(0VDS VGS-VT ) I/V特性的推导（1） I/V特性的推导（2） 三极管区的MOSFET（0 VDS VGS－VT） I/V特性的推导（3） 饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT） NMOS管VGSVT、VDSVGS-VT时的示意图 NMOS管的电流公式 MOSFET的I/V特性 MOSFET的跨导gm MOS管饱和的判断条件 MOS模拟开关 NMOS模拟开关传送高电平的阈值损失特性 PMOS模拟开关传送低电平的阈值损失特性 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管体效应的Pspice仿真结果 衬底跨导 gmb MOSFET的沟道调制效应 MOSFET的沟道调制效应 MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果 MOS管跨导gm不同表示法比较 亚阈值导电特性 MOS管亚阈值导电特性的Pspice仿真结果 MOS 低频小信号模型 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 小信号电阻总结（γ＝0） MOS器件版图 MOS器件电容 减小MOS器件电容的版图结构 栅源、栅漏电容随VGS的变化曲线 栅极电阻 完整的MOS小信号模型 NMOS器件的电容--电压特性 例：若W/L＝50/0.5，|ID|＝500uA，分别求: NMOS、PMOS的跨导及输出阻抗以及本征增益gmr0 （tox=9e-9 λn=0.1, λp=0.2 , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ） 本章基本要求 (ζ1,是一个非理想因子) VgS logID 仿真条件： VT＝0.6Ｖ W/L＝100μ/2μ MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计。 对于图（A）： 对于图（B）： 对于图（C）： MOS电容器的结构 。 对于图a:CDB=CSB = WECj + 2(W+E)Cjsw 对于图b: CDB=(W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw CSB=2((W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw = WECj +2(W+2E)Cjsw C3=C4=COVW Cov：每单位宽度的交叠电容 MOS管关断时: CGD=CGS=CovW, CGB=C1//C2 C1=WLCox MOS管深线性区时: CGD=CGS=C1/2+CovW, CGB=0, C2被沟道屏蔽 MOS管饱和时: CGS= 2C1/3+CovW ,蔼CGD=CovW, CGB=0, C2被沟道屏蔽 积累区 强反型 tox=50 ?, Cox?6.9fF/μm2(1 ?=10-10 m, 1fF= 10-15 F) ∴tox=90 ?, Cox?6.9*50/90=3.83fF/μm2 同理可求得PMOS的参数如下：gmP ?1.96mA/V ，r0P ?10KΩ ，gmP r0P ?19.6 衬底 Ldrawn：沟道总长度 Leff：沟道有效长度， Leff＝ Ldrawn－2 LD LD：横向扩散长度 （bulk、body） MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）pn结必须反偏！ 寄生二极管 寄生二极管 *N-SUB必须接最高电位VDD！ *P-SUB必须接最低电位VSS！ *阱中MOSFET衬底常接源极S MOS管所有pn结必须反偏: (a)栅压控制的MOSFET (b)耗尽区的形成 (c)反型的开始 (d)反型层的形成 沟道未夹断条件 边界条件:V(x)|x=0=0, V(x)|x=L=VDS Qd：沟道电荷密度 Cox：单位面积栅电容 沟道单位长度电荷(C/m) WCox：MOSFET单位长度的总电容 Qd(x)：沿沟道点x处的电荷密度 V(x)：沟道x点处的电势 电荷移动速度(m/s) V(x)|x=0=0, V(x)|x=L=VDS 对于半导体： 且 等效为一个压控电阻 三极管区(线性区) 每条曲线在VDS＝VGS－VTH时取最大值，且大小为： VDS＝VGS－VTH时沟道刚好被夹断 当V(x)接近VGS-VT，Qd(x)接近于0，即反型层将在X≤L处终止，沟道被夹断。 电子 耗