硒化氢光电子光谱的理论研究-ntcuir.pdfVIP

國立臺中教育大學科學應用與推廣學系 科學教育碩士學位碩士論文 指導教授：張嘉麟 博士 硒化氫光電子光譜的理論研究 Theoretical Study of the Photoelectron Spectra of Hydrogen Selenide 研究生：葛晨偉 撰 中華民國一 ○○年六月 摘 要 本研究目的在於應用量子理論之計算方法，對H Se硒化氫( Hydrogen selenide) 2 ＋ － ＋ 分子、H Se 離子 、H Se 離子及H Se 離子激發態之平衡結構、振動頻率、游離 2 2 2 能 ，與其光電子光譜進行理論研究。我們使用Gaussian 03套裝軟體 ，及密度泛 函 數理論的 B3LYP和 B3PW91 泛函數 ，配合不同 之基組 （6-311++G(d,p) 、 6-311++G(2d,p) 、6-311++G(3d,p) 、cc-pVTZ 、aug-cc-pVTZ ），計算H Se分子與正 2 負 離子之平衡結構與振動頻率，再算出H Se分子電離成正負 離子之法蘭克－康登 2 因子 (Franck-Condon factor) ；並模擬H Se分子之光電子光譜，與實際的實驗光譜 2 互相對照。研究結果發現，H Se離子基態之計算值與實驗值結果相接近 。此外， 2 以CCSD(T) 完整基組極限(Complete Basis Set, CBS)之計算方法（基組是 ＋ ~ 2 － ＋ ~ 2 aug-cc-pVXZ, X=D,T,Q,5 ），計算H Se → H Se ( X B ) ＋e 、H Se → H Se ( A A ) 2 2 1 2 2 1 － ＋ ~ 2 － ＋e 、H Se → H Se ( B B ) ＋e 之絕熱游離能以及H Se電子親和力。研究結果顯 2 2 2 2 ＋ ~ ＋ ~ 示，H Se ( X )和H Se ( A )狀態之模擬光譜和實驗相符合，其絕熱游離能分別為 2 2 9.933eV 、12.351eV和 12.625eV ，與實驗的誤差為0.036eV 、－0.058eV與－0.985eV 。 － － 本研究預測H Se 離子之平衡結構、振動頻率以及其光電子光譜，由於H Se 沒有 2