利用不同成长温度之电洞注入层对氮化物系列蓝光发光二极-南台学报.PDFVIP

王俊凱等／南臺學報工程科學類 第2 卷第 1 期 201 7 年3 月 77—86 77 利用不同成長溫度之電洞注入層 對氮化物系列藍光發光二極體 效應之研究 *王俊凱 、江國瑋 南臺科技大學電子工程系 ckwang@.tw 摘要 本研究是針對具電洞注入層(hole injection layer, HIL)之氮化鎵系列(GaN-based) 藍光發光二極體 (light-emitting diodes, LEDs)的光電特性進行探討。HIL 分別以730 、750 與780 ℃的溫度成長於最後一層 位障(last barrier, LB)與電子阻擋層(electron blocking layer, EBL)之間 ，其厚度為 16 nm 且為p 型氮化鎵 (p-GaN) 。實驗結果顯示，HIL 成長溫度為730 、750 與780 ℃之LED ，在120 mA 下的光輸出功率分別 為114.6 、112.5 與 110.5 mW ，而效率衰減(efficiency droop)幅度則分別為24.6 、25.0 與23.5% 。730 ℃之 HIL LED 具較佳光輸出功率 ，這是因為此樣本之HIL 具有較多的電洞濃度 ，且增加電洞的注入效率。也 因此此樣品在低溫 EL 之光強度衰減與 Vf 變化都較其他兩者小 。相對地 ，780 ℃之 HIL LED 具較低 efficiency droop ，這是因為此樣本的電流散佈較佳，且電洞分佈在主動區中較為均勻 。也因此此樣品在 Vf 、hot/cold factor 與抗靜電能力皆具有較佳的結果。 關鍵詞：氮化鎵、發光二極體、電洞注入層 Investigating the Effect of Nitride-Based Blue Light Emitting Diodes Using Hole Injection Layer with Different Growth Temperatures Chun-Kai Wang, Kuo-Wei Chiang Department of Electronic Engineering, Southern Taiwan University of Science and Technology Abstract In this study, the electrical and optical properties of GaN-based blue light-emitting diodes (LEDs) with hole injection layer (HIL) were investigated. A 16-nm-thick p-GaN HIL inserted between last barrier (LB) and electron blocking layer (EBL) was grown at 730, 750, and 780 ℃. The light output powers of LEDs for HIL grown at 730, 750, and 780 ℃ were 114.6, 112.5, and 110.5 mW, respectively. The efficiency droop ratios of LEDs for HIL grown at 730, 750, and 780 ℃ were