X射线光电子能谱分析PPTPPT.pptx

X射线光电子能谱分析X-ray Photoelectron Spectroscopy表面分析技术 (Surface Analysis)是对材料外层(the Outer-Most Layers of Materials (100nm))的研究的技术Electrons are extracted only from a narrow solid angle.X-ray BeamX-ray penetration depth ~1mm.Electrons can be excited in this entire volume.10 nm1 mm2X-ray excitation area ~1x1 cm2. Electrons are emitted from this entire area主 要 内 容 XPS的基本原理光电子能谱仪实验技术 X射线光电子能谱的应用7.1 XPS的基本原理XPS是由瑞典Uppsala大学的K. Siegbahn及其同事历经近20年的潜心研究于60年代中期研制开发出的一种新型表面分析仪器和方法。鉴于K. Siegbahn教授对发展XPS领域做出的重大贡献，他被授予1981年诺贝尔物理学奖。 XPS现象基于爱因斯坦于1905年揭示的光电效应，爱因斯坦由于这方面的工作被授予1921年诺贝尔物理学奖；X射线是由德国物理学家伦琴（Wilhelm Conrad R?ntgen，l845-1923）于1895年发现的，他由此获得了1901年首届诺贝尔物理学奖。X射线光电子能谱（ XPS ，全称为X-ray Photoelectron Spectroscopy）是一种基于光电效应的电子能谱，它是利用X射线光子激发出物质表面原子的内层电子，通过对这些电子进行能量分析而获得的一种能谱。这种能谱最初是被用来进行化学分析，因此它还有一个名称，即化学分析电子能谱（ ESCA，全称为Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）7.1 XPS的基本原理7.1.1 光电效应 1. 光电效应 具有足够能量的入射光子(hν) 同样品相互作用时，光子把它的全部能量转移给原子、分子或固体的某一束缚电子，使之电离 。X射线激发光电子的原理7.1 XPS的基本原理紫外(真空)光电子能谱X射线光电子能谱Auger电子能谱h?h?h? 电子能谱法：光致电离； A + h?? A+* + e 单色X射线也可激发多种核内电子或不同能级上的电子，产生由一系列峰组成的电子能谱图，每个峰对应于一个原子能级（s、p、d、f）；7.1 XPS的基本原理7.1 XPS的基本原理 光子的一部分能量用来克服轨道电子结合能( EB)，余下的能量便成为发射光电子(e - ) 所具有的动能 ( EK)，这就是光电效应。用公式表示为：Ek = hν- EB –Ws 结合能( EB)：电子克服原子核束缚和周围电子的作 用，到达费米能级所需要的能量。 7.1 XPS的基本原理费米（Fermi）能级：0K固体能带中充满电子的最高能级；逸出功Ws：固体样品中电子由费米能级跃迁到自由电 子能级所需要的能量。 电子弛豫 :内层电子被电离后,造成原来体系的平衡势 场的破坏，使形成的离子处于激发态，其 余轨道电子结构将重新调整。这种电子结 构的重新调整，称为电子弛豫。 7.1 XPS的基本原理2. 光电离几率和XPS的信息深度（1）光电离几率 定义 光电离几率(光电离截面?)：一定能量的光子在与原子作用时，从某个能级激发出一个电子的几率；影响因素 ?与电子壳层平均半径，入射光子能量，原子序数有关；7.1 XPS的基本原理在入射光子能量一定的前提下，同一原子中半径越小的壳层，?越大； 电子的结合能与入射光子的能量越接近，?越大。 ?越大说明该能级上的电子越容易被光激发，与同原子其它壳层上的电子相比，它的光电子峰的强度越大。7.1 XPS的基本原理（2）XPS信息深度 样品的探测深度通常用电子的逃逸深度度量。 电子逃逸深度?（Ek）：逸出电子非弹性散射的平 均自由程； ?：金属0.5~3nm；氧化物2~4nm ； 有机和高分子4~10nm ； 通常：取样深度 d = 3? ； 7.1 XPS的基本原理3. XPS的特点 在实验时样品表面受辐照损伤小，能检测周期表中除 H 和 He 以外所有的元素，并具有很高的绝对灵敏度。 7.1 XPS的基本原理7.1.2 XPS谱图分析中原子能级的表示方法 XPS谱图分析中原子能级的表示用两个数字和一个小字母表示。例如:3d5/2 第一个数字3代表主量子数(n) , 小写字母代表角量子数 ; 右下角的分数代表内量子数j l—为角量子数，l = 0, 1, 2, 3 ……, 7.1 XPS的