10-第十讲--薄膜材料物理--第四章薄膜的表面和界面课件.pptVIP

金属内电子很多，尽管半导体中的电子流向了金属， 但这点电子数对金属来说增加不显然，如同大杯水中 增加一两滴水一样。因此，金属一侧没有空间电荷层， 即没有电位差。全部电位变化都发生在半导体的界面 层中，并具有整流性。 通向 (a) (b) 阻向 (c) 且（ns’- nm）0 ∴半导体中电子流向金属， 或者说从金属到半导体的静电流密度为： （a）在平衡状态下，nm=ns 静电流为零 （b）半导体上加一负电压（-V），半导体中 电子的能位上升 ns’ (c) 半导体上加正电压(+V),半导体中电子的能 位下降且（nm-ns’’）0, ∴金属中电子流向半导体，或者说从半导体到 金属的静电流密度为： 并且：V↑→ns’↑→Jms↑ ns’’ 通向 并且：V↑→ns’’↓→Jms↑ 由此可见：当ΦmΦs时，金属与n型半导体具有 整流特性→ 正向：金属接正，半导体接负， 导通 反向：金属接负，半导体接正， 不导通 当ΦmΦs时 n 型 金属 (a)接触前 n 型 (b)接触后 (c) (＋) n型 金属 ( - ) 金属 n型 (d) 接触后，自由电子从金属移向半导体，直到两者 的费米能级相同为止。因为移入的电子在能量上尚 达不到半导体的导带，所以不能形成负的空间电荷， 而只构成半导体的表面电荷，结果在界面处形成很 薄