运用雷射奈米位移之光学超解析边缘侦测之研究.pdf

運用雷射奈米位移之光學超解析邊緣偵測之研究 陳亮嘉 姚 穎 台灣大學 台灣大學 lchen@.tw .tw 摘要 本研究旨在利用繞射理論建立模型，模擬一雷射光點經過垂直斷高邊緣時，其光強分布狀況，並深入 分別探討在掃描期間，其雷射光點通過一邊緣或多個邊緣時之總光強和相位變化。從模擬結果可看到， 當高度越高，繞射現象愈明顯時，橫向掃描時的總光強和相位變化愈明顯。總光強通過邊緣會發生光 強明顯減弱現象，而其光程相位為緩坡成長或衰減之狀況。因此，依據此物理現象，可以由總光強一 次微分穿零點或者相位二次微分穿零點來定位邊緣位置。模擬結果顯示，總光強之一次微分穿零點會 受到階高高度以及測光點包含之邊緣數量所影響，其模擬結果所偵測之斷高邊緣位置，其模擬之偵測 偏差量最高可達到 200 奈米之譜。同時模擬結果亦顯示，光程相位之二次微分穿零點和邊緣位置保持 幾乎一致特性，其模擬結果偏差量可保持在 5 奈米以下，利用此特性並配合奈米位移可以精準定位邊 緣位置 。惟其最佳橫向掃描解析能力僅可達到光點大小之 21.7% ，偵測光點的大小仍為橫向解析能力 之主要關鍵參數 。 關鍵字：光學超解析 、邊緣偵測、繞射極限 、奈米位移掃描、光程相位差 。 壹、前言 由於光學繞射緣故，精準的形貌邊緣量測至今仍是一個難題。尤其近年來高科技進步，在生醫研究、 微機電系統或者半導體製程，其所要求的關鍵尺寸已達到奈米精密量測等級，因此量測技術也必須達 到奈米等級水準。目前研究仍少有光學模型探討雷射光點，其經過垂直斷高之銳角邊緣時其相位如何 變化。因此本文利用繞射理論建立模型，模擬一雷射光點經過垂直斷高邊緣時，其光強分布和相位變 化，並之後深入討論當通過一邊緣以及多邊緣時情況。 貳、研究方法 ( ) 據 Rayleigh Sommerfeld 繞射理論 ，假設一入射光 , 在通過在 z=0 的上的光圈̃之後在距離 1 1 1 ( ) z=D 上的分布為 ,; = ，如圖 1 所示，那分布結果可由下式子表示： 1 1 z ( ) ( ) ( ) (1) ,; = = ∬ , cos = ∬ , ̃ 1 1 1 ̃ 1 1 1 1 1 在菲涅耳近似（Fresnel Approximation ）下，r 可以近似於： 2 2 2 2 2 1 −1 1 −1 (2) r = + ( − ) + ( −) ≈ [1+ ( ) + ( ) ] √ 1 2 2 因此，最終電場分布表示可以修改為： ( ) ∞ ( ) exp − ( )