基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计.docVIP

基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计 　　摘要:双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic―Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快。将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低了电路功耗。 　　关键词:双基区晶体管;静态随机存储器;负阻器件 　　中图分类号:TP311文献标志码:A 文章编号:1009-3044(2010)09-2251-02 　　A New Design of SRAM Cell Based on Negative Resistance Characteristic of DUBAT 　　LUO Xian-liang, DONG Chen-mim, WANG Yong-shun 　　(School of Electronics and Information Engineering, Lanzhou Jiaotong University, Lanzhou 730070, China) 　　Abstract: Dual Base Transistor (DUBAT) is a silicon three-terminal voltage-controlled negative resistance device and has a bi-stability hysteresis loop in the Ic―Vbe characteristics. Applying the negative resistance and the high-speed characteristics of the Dual Base Transistors (DUBAT) to constitute the cell of the Static Random Access Memory (SRAM), which has a simple structure, a few devices, big noise margin so theres strong anti-jamming compatibility, and high-speed. Making the 4 voltage clock-signal drive the MOS FET, which reduce the power of the cell. 　　Key words: DUBAT; SRAM; negative resistance device 　　微电子和集成电路技术目前正在以非常快的速度沿着两个不同的方向,向前发展。一个是逐步减少器件尺寸,从0.5um―0.15um―50nm―30nm―……;另一个方向就是在保证一定逻辑功能的前提下,减少器件数目,减少连接节点和互连线,降低功耗,例如采用负阻器件等。利用负阻器件来代替常规器件是减少器件数目最有效的方法之一。因为负阻器件或由器件组成的负阻单元本身具有负阻、双稳和自锁特性。 　　传统的静态随机存储单元电路需要4~8个晶体管[1-2],使用共振遂穿二极管(RTD)只需4个器件[3],但RTD是化合物器件制作成本高并不能很好的与硅集成电路兼容[2]。双基区晶体管(DUBAT)是一种三端压控硅基负阻器件,并具有双稳、自锁和高速特性。静态随机存储器电路要求速度快、稳定性能高、单元电路器件少、易于集成,双基区晶体管的特性恰好能满足以上要求。通过对静态随机存储器(SRAM)单元电路的精心设计,将双基区晶体管(DUBAT)的特性与静态随机存储器要求很好的结合,那么双基区晶体管相比于其他器件是一种性能更为理想、市场更为广阔的制作静态随机存储单元电路的器件。 　　1 双基区晶体管(DUBAT) 　　1.1 双基区晶体管的基本结构 　　双基区晶体管(DUBAT)是一种集成的硅基三端压控型负阻器件。它由一横向的pnp双极性晶管作为反馈器件和纵向的npn双极性晶体管作为器件主体。器件结构如图1(a)所示。 　　p1np2形成横向的pnp晶体管、n+p2n形成纵向的npn晶体管。n+p2n晶体管的基极和集电极分别与p1np2晶体管的集电极和基极相连。双基区晶体管(DUBAT)等效电路模型如图1(b)所示,晶体管Q1是p1np2 的等效模型、Q3是n+p2n的等效模型,所以Q1发射极与Q3的基极相连、Q1基极与Q3的集电极相连[2]。 　　1.2 双基区晶体管的负阻特性 　　由双基区晶体管等效电路,利用Pspice9.2绘出电路图,如图1(b)示。用软件仿真扫描功能,对双基区晶体管CE端电压以步长0.1mv从0到300mv对Vce进行扫描,然后查看C端电流Ic,得到图2双基晶体管负阻特