《多晶硅生产工艺》课程复习提纲.pdfVIP

多晶硅生产技术知识点汇总 绪论 一、选择、判断与填空 1、改良西门子法是当今生产多晶硅的主流技术。 2 、生产多晶硅的其他方法有：四氯化硅法、硅烷热分解法、流化床法等。 二、综合题 1、简述改良西门子法生产多晶硅的流程 项目一 气体的制备与净化 一、选择、判断与填空 1、半导体工业中使用的氢气，一般采用电解水或电解食盐水的方法来制取。 2 、电解水时，在阳极上得到氧，在阴极上得到氢。 3、在氧化-还原反应中，离子的电极电势越高，其得电子能力（或氧化性）越强。反之，离子的电极 电势越低，其失电子能力（或还原性越强） 4 、电解氯化钠水溶液时得到是氢气和氯气，是因为OH-的得电子能力比Cl-强。 5、目前已经发展了三种基于不同种类的电解槽，分别是碱性电解槽、聚合物薄膜电解槽以及固体氧 化物电解槽。 6、氢气的净化方法有两种：一种是催化脱氧吸附干燥法；另一种是钯合金扩散法。 二、综合题 1、氢气在多晶硅生产中的主要应用 2 、电解水制氢工艺流程 3、名词解释：吸收、吸附 项目二 三氯氢硅的合成 一、选择、判断与填空 1、三氯氢硅的合成包括液氯汽化、氯化氢合成、三氯氢硅合成等工序。辅助设施有湿法除尘釜液回 收装置、硅粉洗涤回收装置。 2 、液氯是黄绿色、有刺激性气味的液化气体，易溶于水和碱液，相对分子质量71 。 3、氯气与氢气在阳光或者加热的情况下二者迅速反应合成HCl ，放出大量的热。 4 、工业制取液氯的方法一般是电解食盐水溶液，这种方法制备出的液氯中杂质主要是水和微量氢气。 5、液氯汽化的主要设备有汇流排、液氯钢瓶、小缓冲罐等。 6、氯化氢的相对分子质量是36.5，无色、易溶于水、有强烈刺激性气味的气体。 7、氯化氢合成采用氯气在氢气中燃烧的方法。 8、氯化氢合成炉是合成氯化氢的主要设备，其形状有锥形、直筒型两种。 9、三氯氢硅合成包括硅粉加料系统、合成炉、干法除尘、湿法除尘和尾气分离。 10、工业硅的外观为深灰色，纯度一般为95%-99%，制备方法一般采用冶炼法。 11、目前国内生产厂家采用在电炉中用焦炭还原二氧化硅来制取工业硅。 12、晶体硅的密度为2.33g/cm3，熔点1414°C ，莫氏硬度为7 。 13、多晶硅按纯度分类可分为冶金级、太阳能级、电子级。 14、多晶硅的晶体结构，是金刚石结构的半导体晶体。晶体硅的晶格结构是面心立方结构，一个晶胞 3 22 3 中含有8 个硅原子。硅的a=5.4305Å （晶格常数）。硅的原子密度:8/a =5 ×10 /cm 。 15、无定型硅是一种黑灰色的粉末，是晶体硅的一种同素异形体。 16、晶体硅在常温下很稳定，但能溶于氢氟酸-硝酸混合溶液中。 17、三氯氢硅在常温常压下为具有刺激性恶臭易流动易挥发的无色透明液体。沸点31.8°C 。 18、三氯氢硅极易与水反应生成二氧化硅、氯化氢和氢气，并放出大量的热。 19、三氯氢硅合成的主要设备有三氯氢硅合成炉（流化床）、布袋式过滤器、氢气阻火器、空气冷却 器、旋风分离器、鼓泡塔等。 20 、合成三氯氢硅的反应是放热反应。 21 、布袋式过滤器是基于过滤原理的过滤式除尘设备。 22 、三氯氢硅合成反应的主要影响因素有：反应温度、反应压力、原料氧和水分含量、氯化氢的稀释 作用、硅粉粒度、硅粉料层厚度及氯化氢流量等。 23 、三氯氢硅合成炉内温度宜控制在280~320 °C ，压力一般维持在0.3MPa 。 24 、游离氧和水分在反应系统中会与硅反应生成硅胶或硅氧烷，阻止硅与HCL 接触，影响反应正常 进行，使产物中三氯氢硅含量降低。 25 、在三氯氢硅合成体系中加入氢气进行稀释有利于三氯氢硅的生成。加入氢气还能够带出反应生成 的大量热量。 26 、三氯氢硅合成工序需要保养的设备、管道分为：反应系统、循环水系统和除尘系统。 反应系统包括合成炉、硅粉料斗以及相应的附属管道。 二、综合题 1、氯化氢的合成原理（方程式） 2 、氯化氢合成工艺流程 3、三氯氢硅合成原理（方程式、温度条件） 4 、三氯氢硅合成工艺流程 项目三 三氯氢硅精馏提纯 一、选择、判断与填空 1、目前提纯三氯氢硅的方法很多，有精馏法、络合法、固体吸附法、部分水解法和萃取法。 2 、精馏提纯装置包括精馏塔、再沸器和冷凝器等设备。精馏塔是核心设备。 3、精馏塔的基本功能是为气液两相提供充分接触的机会，使传热和传质过程