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一种采用ｌｉ３ｎ掺杂电子注入层的底发射倒置结构ｏｌｅｄ的制备
第 卷第 期 光 子 学 报
４０ ２
Ｖｏｌ．４０Ｎｏ．２
年 月
２０１１ ２ Ｆｅｂｒｕａｒ２０１１
ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ ｙ
文章编号： （ ）
１００４４２１３２０１１０２０１９９５
一种采用 ＬｉＮ掺杂电子注入层的底发射
３
倒置结构 ＯＬＥＤ的制备
张睿，李传南，李涛，崔国宇，侯晶莹，赵毅，刘式墉
（吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室，长春 １３００１２）
摘 要：采用 掺杂电子注入层 ，制作了一种结构为 ／ ／ ／
ＬｉＮ Ａｌ ∶ＬｉＮ ＩＴＯＡｌＡｌ ∶ＬｉＮ Ａｌ
ｑ ｑ ｑ ｑ
３ ３ ３ ３ ３ ３ ３
／ ／ 的倒置底发射有机发光器件 其中 玻璃作为透明阴极，金属 作为顶部阳
ＮＰＢＭｏＯ Ａｌ ． ＩＴＯ Ａｌ
３
极，在 ＩＴＯ阴极与电子传输层之间加入 ＬｉＮｎ型掺杂层，改善了该器件的电子注入和传输能力；
３
在 阳极与空穴传输层之间加入 缓冲层，降低了 阳极与 之间较大的空穴注入势
Ａｌ ＭｏＯ３ Ａｌ ＮＰＢ
垒，改善了空穴注入能力 实验表明：此结构的倒置底发射有机发光器件性能可达到传统结构的常
．
用有机发光器件如 ／ ／ ／ ／ 的性能，完全可以满足非晶硅薄膜晶体管有源有机发
ＩＴＯＮＰＢＡｌ ＬｉＦＡｌ
ｑ
３
光器件中驱动电路的匹配及性能要求．
关键词：有机发光器件；倒置底发射结构； ；型掺杂；势垒
ＬｉＮ ｎ
３
中图分类号： 文献标识码： ： ／
ＴＮ８７３．３ Ａ 犱狅犻１０．３７８８ ｚｘ０１９９
ｇ
０ 引言 置结构，上电极是公共阳极，这与传统的 ＯＬＥＤ结
构不同 解决方案之一是使用顶发射 ，即底电
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