第二讲_专用集成电路概念与设计流程幻灯片.pptVIP

第二讲_专用集成电路概念与设计流程幻灯片.ppt

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移位寄存器和锁存器的放大版图(1千倍) 浙大微电子 */50 三、常用半导体制造工艺 IC制造工艺 数字IC电路( CMOS工艺) 模拟IC电路(Bipolar工艺、CMOS工艺) 数模混合信号IC电路( CMOS、BiCMOS工艺) 电源相关功率IC电路( BCD工艺) ASIC制造常用工艺(um) 标准CMOS工艺(0.5,0.35,0.25,0.18,0.13) 浙大微电子 */50 四、ASIC设计流程 特殊器件的设计流程 (Device 工艺) 模拟电路设计流程 (Analog 工艺) 数字电路设计流程(Logic 工艺) 数/模混合电路设计流程 (Mixed-signal 工艺) 浙大微电子 */50 特殊工艺器件的设计流程 浙大微电子 */50 常用的TCAD软件工具 所属公司 工艺仿真 器件仿真 特点 Synopsys Tsuprem4 Medici 国内业界广泛使用 ISE(瑞士) 被Synopsys 公司收购 DIOS MDRAW,器件生成 DESSIS,器件仿真 国外业界广泛使用 SILVACO Athena Atlas 图形界面 操作简单易学 Sentaurus Synopsys Process Structure Editor Device 提供模型参数数据库和小尺寸模型 浙大微电子 */50 浙大微电子 */50 模拟IC设计流程 模拟集成电路设计常用工具 公司 Cadence Synopsys Mentor Graphics Spring Soft 电路图 仿真 Spectre Hspice 版图绘制 Virtuoso 版图验证 及参数提取 Diva Dracula Calibre Laker 浙大微电子 */50 浙大微电子 */50 前端设计 数字IC设计流程 浙大微电子 */50 后端设计 数字集成电路设计常用工具 公司 Cadence Synopsys Mentor Graphics SpringSoft 逻辑仿真 NC-Sim VCS Modelsim 逻辑综合 Design- compiler 布局布线 SE Encounter Astro Laker 时序验证 Pearl 可测性设计 DFT-Compiler TetraMAX 浙大微电子 */50 五、ASIC设计关注的主要数据 元件数/芯片– 1000万晶体管/Die, 100门/Die 芯片面积(mm2) – 1-100mm2 硅片直径(mm) –20mm ( 8英寸)/wafer 特征线宽(μm) – 0.18μm, 90nm /CD 工作电压(V) – 3.3V,1.8V, 1.2V, 0.8V 功耗(mW)– 16mW, 1.3mW, 6.5mW 速度(MHz) – 高速电路(数字), 时钟800 MHz 频率(GHz) – 射频电路(模拟), 2.4 GHz, 6GHz 速度功耗乘积(μJ) -- 1pJ/单位量化电平 浙大微电子 */50 关于性能 --速度功耗积 衡量超大规模IC产品设计水平的重要标志 在ASIC设计的每一步, 都有对产品速度、功耗进行决择、控制的能力(速度、功耗是一对矛盾) 在系统设计级:算法的确定非常重要, 并行算法速度快但功耗大;串行算法则反之。 在逻辑设计级:是否采用诸如超前进位链之类的附加电路,对芯片速度的影响也非常明显 在电路设计级 在器件设计级 在版图设计级 浙大微电子 */50 器件结构/电路形式对速度、功耗的影响 器件结构对速度、功耗的影响 双极型器件速度快, 但功耗大; MOS型器件功耗低, 但速度相对也低。 电路形式对速度、功耗的影响 同是双极型器件,ECL电路快于TTL电路(后者器件进入深饱和区而前者只达临界饱和点) 同是MOS型器件,CMOS电路功耗低于单纯NMOS或PMOS电路(后者有静态功耗而前者无静态功耗) 浙大微电子 */50 六、ASIC成本 每个芯片(chip)的成本可用下式估算: 总成本 = 设计成本 + 光罩成本 + 制造成本 (暂不考虑封装测试成本) 其中Ct为芯片开发总成本 Cd 为设计成本, Cm 为光罩成本 Cp 为每片wafer上电路的加工成本 V 为总产量 y 为成品率 n 为每一大园片上的芯片数 (chip 数 / wafer) 浙大微电子 */50 降低成本的方法 增大V, V=y×n×w 当批量V做得很大时, 上式前二项可以忽略, 成本主要由生产加工费用决定。 增大y: 缩小芯片面积,因为当硅片的材料质量一定时, 其

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